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Purification of refractory metals used for the sputtering target
溅射靶材用难熔金属的提纯
基本信息
- 批准号：22360311
- 负责人：
- 金额：$ 7.49万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Purification of refractory metals (Mo,V,Zr), required as the sputtering target for the advanced electronic devices, has been examined using the special melting methods such as hydrogen plasma arc melting (HPAM) and electron beam melting (EBM). Similar to EBM in high vacuum, HPAM under atmospheric pressure is confirmed to be useful for the remarkable reduction of volatile metallic impurities like Fe, Al, Cu and Cr from the melted metals. Also, HPAM is found to be a more practical purification method, due to very low vaporization loss of the melted metal during HPAM, different from EBM with high vaporization loss of the melted metal. Furthermore, it has been first verified in this work that HPAM under the low pressure is more efficient for the purification of refractory metals than HPAM under atmospheric pressure.
采用氢等离子体电弧熔炼（HPAM）和电子束熔炼（EBM）等特殊熔炼方法，对先进电子器件所需的溅射靶材难熔金属（Mo、V、Zr）进行了提纯研究。与高真空下的EBM相似，常压下的HPAM被证实可用于显著降低熔融金属中的挥发性金属杂质如Fe、Al、Cu和Cr。此外，HPAM被发现是一种更实用的净化方法，由于在HPAM过程中熔融金属的蒸发损失非常低，不同于具有熔融金属的高蒸发损失的EBM。首次证实了低压HPAM比常压HPAM净化难熔金属的效果更好。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Preparation of high purity metals for advanced devices
- DOI：10.1016/j.tsf.2011.05.038
- 发表时间：2011-10
- 期刊：
- 影响因子：2.1
- 作者：M. Isshiki;K. Mimura;M. Uchikoshi
- 通讯作者：M. Isshiki;K. Mimura;M. Uchikoshi
Effect of oxygen content on hydrogenation of vanadium andhydrogen diffusion in the monohydride phase
氧含量对钒加氢及一氢化物相中氢扩散的影响
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：浅野耕太;林繁信; 三村耕司 ;榎浩利; 中村優美子
- 通讯作者：中村優美子
Hydrogen plasma arc melting and refining of refractory metals
难熔金属的氢等离子弧熔炼和精炼
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：三村耕司;一色実
- 通讯作者：一色実
Vの水素化反応と1水素化物相中の水素の拡散に及ぼす酸素の影響
氧对V加氢反应及氢在氢化物相中扩散的影响
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：浅野耕太;林繁信;三村耕司;榎浩利;中村優美子
- 通讯作者：中村優美子
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