Search for new electronic properties using the interface structures controlled on nano scales

使用纳米尺度控制的界面结构寻找新的电子特性

• 批准号: 22560019
• 负责人: KOBAYASHI Katsuyoshi
• 金额: $ 2.33万
• 依托单位: Ochanomizu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22560019/
• 关键词: 表面界面物性; 電子物性; ナノ構造; 新物質; 計算物理学; 双晶; 超格子; トポロジカル絶縁体; スピントロニクス; 表面界面電子物性; 計算物理; 第一原理計算; 輸送特性; グラフェン; 表面・界面物性; ナノワイヤー

In this project we have theoretically studied the electronic properties of nanoscale materials that have been recently produced. We focused on the electronic states of their interface structures, and purposed to clarify the electronic properties of new materials and to search their new functions. We have studied the electronic structures and transport properties of twinning superlattice nanowires, GaInP2 twinning interfaces, and the interfaces between topological insulators and metals, and obtained new knowledge about these materials.

在这个项目中，我们从理论上研究了最近生产的纳米材料的电子性质。我们重点研究了它们界面结构的电子态，旨在阐明新材料的电子性质，并探索它们的新功能。我们研究了孪生超晶格纳米线、GaInP2孪生界面以及拓扑绝缘体与金属之间的界面的电子结构和输运性质，获得了关于这些材料的新知识。

项目成果

Electronic structure study of ultrathin Ag(111) films modified by a Si(111) substrate

Si(111)衬底修饰超薄Ag(111)薄膜的电子结构研究

• 发表时间: 2012
• 期刊: Journal of Physics : Condensed Matter
• 作者: M.Ogawa;他
• 通讯作者: 他

BiからBi2Te3表面状態への電子注入の原子スケールでの計算

Bi至Bi2Te3表面态电子注入的原子尺度计算

• 发表时间: 2012
• 作者: 望月博孝;川口喜三;佐々木史雄;堀田収;Keiji Ueno;小林功佳
• 通讯作者: 小林功佳

低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定III

使用低温独立驱动四探针 STM III 测量 Si(111)4×1-In 上银薄膜的输运特性

• 发表时间: 2011
• 作者: 永村直佳;他
• 通讯作者: 他

Bi2Te3およびBi2Se3表面ステップの電子状態

Bi2Te3 和 Bi2Se3 表面台阶的电子态

• 发表时间: 2010
• 作者: 熊倉基起;斎藤秀 俊、伊藤治彦;小林功佳
• 通讯作者: 小林功佳

Calculation of electronic transmission properties of single layer and bilayer silicene

单层和双层硅烯电子传输性能的计算

• 发表时间: 2013
• 作者: Hikari Nogami;Hiromi Nakao and Katsuyoshi Kobayashi
• 通讯作者: Hiromi Nakao and Katsuyoshi Kobayashi