Three Dimensional Micro-structure Formation on Si Surfaces Using Surface-Diffusion-Driven Shape Transformation

使用表面扩散驱动形状变换在硅表面形成三维微结构

• 批准号: 22560023
• 负责人: SUDOH Koichi
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010-04-01 至 2013-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22560023/
• 关键词: 表面; シリコン; 微細構造; 表面拡散; 高温アニール

Spontaneous shape transformation occurs as high-aspect-ratio hole patterns fabricated on Si substrates are annealed in non-oxidizing ambient at high temperatures. In this project, formation technology of three dimensional micro-structures applying the spontaneous shape transformation was investigated. Observing the shape transformation processes for various hole patterns, three dimensional structures created using this method were shown. Performing numerical simulations based on continuum theory, the dominant mass transport mechanism for the observed shape transformation was fond to be surface diffusion.

在高温非氧化环境中退火时，在Si衬底上制作的高深宽比孔图案会发生自发的形状转变。本计画主要研究应用自发变形技术来形成三维微结构。通过观察不同孔图案的形状变化过程，展示了用这种方法创建的三维结构。基于连续介质理论进行数值模拟，所观察到的形状转变的主要质量传输机制是表面扩散。

项目成果

Si(001)表面における高アスペクト比ホールの高温アニールによる空洞形成

Si(001)表面高深宽比孔高温退火形成空腔

• 发表时间: 2013
• 作者: 須藤孝一;蛭田玲子;栗林均
• 通讯作者: 栗林均

Shape Evolution of High Aspect Ratio Holes on Si(001) during Hydrogen Annealing

Si(001) 上高深宽比孔在氢气退火过程中的形状演化

• DOI: 10.1063/1.4829912
• 发表时间: 2013
• 期刊: J. Appl. Phys.
• 作者: K. Sudoh;R. Hiruta;H. Kuribayashi
• 通讯作者: H. Kuribayashi

Formation of Silicon-on-Nothing Structures with Extremely Flat Surfaces

• DOI: 10.7567/jjap.52.075601
• 发表时间: 2013-07-01
• 期刊: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
• 影响因子: 1.5
• 作者: Sudoh, Koichi;Nakamura, Jun;Maenaka, Kazusuke
• 通讯作者: Maenaka, Kazusuke

表面拡散による形態変化を利用した超平坦シリコン・メンブレンの形成

利用表面扩散引起的形态变化形成超平坦硅膜

• 发表时间: 2013
• 作者: 須藤孝一;榊原昇一
• 通讯作者: 榊原昇一

Nano-Scale Tensile Testing and Sample Preparation Techniques for Silicon Nanowires

硅纳米线的纳米级拉伸测试和样品制备技术

• DOI: 10.7567/jjap.52.110118
• 发表时间: 2013
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys.
• 作者: T. Fujii;K. Sudoh;S. Sakakihara;M. Naito;S. Inoue;T. Namazu
• 通讯作者: T. Namazu