The first principle electronic states calculation of an mechanochem i ca I reaction for ultra-smoothing and applying to a development of processing tecnique

超平滑机械化学反应的第一原理电子态计算及其应用于加工技术的开发

• 批准号: 22560103
• 负责人: SHIBUTANI Hideo
• 金额: $ 2.33万
• 依托单位: Saitama University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22560103/
• 关键词: 超平滑化; メカノケミカル反応; 第1原理計算; 電子状態; 研磨; シリコン; 第一原理; シミュレーション; 第一原理計算; 加工技術; ポリシング; 超精密

In this study, the electronic state of an abrasive-work interface neighborhood was calculated by a first principles calculation. In these results, in case of Silica abrasives which the surface hydroxyl contribute the removal action of the Si wafer in a polish, the internal electronic states of the Si wafer were almost same when Silica abrasives were approaching to Si wafer surface. But, Barium oxide abrasives which act as the solid phase reaction in a polish, internal electronic states of the Si wafer, especially the first and second layer of Si wafer.

在这项研究中，电子状态的磨料加工界面附近计算的第一性原理计算。在这些结果中，在二氧化硅磨料的情况下，其表面羟基有助于在抛光中的Si晶片的去除作用，当二氧化硅磨料接近Si晶片表面时，Si晶片的内部电子状态几乎相同。但是，氧化钡磨料在抛光过程中起固相反应的作用，会影响硅片内部电子态，尤其是第一层和第二层硅片。

项目成果

2012年度精密工学会秋季大会学術講演

2012年日本精密工程学会秋季会议学术讲座

• 发表时间: 2012

第1原理計算による研磨機構の基礎的検討

利用第一性原理计算进行抛光机理的基础研究

• 发表时间: 2011
• 作者: 笠原直人;ほか1名;澁谷秀雄
• 通讯作者: 澁谷秀雄