Low-temperature formation and defect control of high-k dielectrics by PA-ALD

PA-ALD 高 k 电介质的低温形成和缺陷控制

• 批准号: 22560307
• 负责人: FUKUDA Yukio
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Tokyo University of Science, Suwa
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22560307/
• 关键词: 誘電体薄膜; 表面・界面物性; 超薄膜; MOS 構造; プラズマ酸化; 原子層堆積 法; 酸化ハフニウム; 酸化アルミニウム; MOS構造; 原子層堆積; 誘電体物性; MIS構造; プラズマ成膜

In the present research subject, we have investigated the atomic layer depositions of high-k metal oxides on silicon and germanium substrates using microwave-generated atomic oxygen as an oxidant. We have found that silicates and germanates of high-k metals are spontaneously formed on silicon and germanium substrates, respectively, at low temperatures lower than 300℃.

在本研究课题中，我们利用微波产生的原子氧作为氧化剂，研究了高介电常数金属氧化物在硅和锗衬底上的原子层沉积。我们发现，在低于300℃的低温下，高k金属的硅酸盐和锗酸盐分别在硅和锗衬底上自发形成。

项目成果

TrapdensityofGeNx/Geinterfacefabricatedbyelectroncyclotronresonanceplasmanitridation

电子回旋共振等离子体氮化制备GeNx/Ge界面的陷阱密度

• DOI: 10.1063/1.3611581
• 发表时间: 2011
• 期刊: Appl.Phys.Lett.
• 作者: W. Li;E. Meng;D. Ishikawa;K. Nakane;S. Oda;T. Matsushita;Y.Fukuda,Y.Otani,T.Sato,H.Toyota,001100203040andT.Ono;Y.Fukuda,Y.Otani,H.Toyota,andT.Ono
• 通讯作者: Y.Fukuda,Y.Otani,H.Toyota,andT.Ono

マイクロ波生成リモートプラズマ支援ALD法によるSi基板上へのHfSixOy薄膜の低温形成

微波远程等离子体辅助ALD法在Si衬底上低温形成HfSixOy薄膜

• 发表时间: 2012
• 作者: 石崎博基;飯田真正;王谷洋平;山本千綾;山中淳二;佐藤哲也;福田幸夫
• 通讯作者: 福田幸夫

マイクロ波リモートプラズマを用いた原子層堆積法によるGe基板上へのAl2O3薄膜の直接形成

微波远程等离子体原子层沉积法在Ge基底上直接形成Al2O3薄膜

• 发表时间: 2012
• 作者: 灘真輝;御厨雄大;齋藤勝彦;田中徹;西尾光弘;郭其新;花田毅広
• 通讯作者: 花田毅広

InsituformationofhafniumsilicateonSisubstratebyatomiclayerdepositionwithtetrakis(dimethylamino)hafniumandmicrowave-generatedatomicoxygen

用四(二甲氨基)铪和微波产生的原子氧进行原子层沉积在硅衬底上原位形成硅酸铪

• 发表时间: 2013
• 作者: W. Li;E. C. Meng;T. Matsushita;S. Oda;D. Ishikawa;K. Nakane;H. Tatsuoka;H.Ishizaki,Y.Otani,C.Yamamoto,J.Yamanaka,T.Sato,T.Takamatsu,andY.Fukuda
• 通讯作者: H.Ishizaki,Y.Otani,C.Yamamoto,J.Yamanaka,T.Sato,T.Takamatsu,andY.Fukuda

InterfacepropertiesofGeNx/Gefabricatedbyelectroncyclotronresonanceplasmanitridation

电子回旋共振等离子体氮化制备GeNx/Ge的界面特性

• 发表时间: 2011
• 作者: K.Shirai;K.Nakane;M.Shimomura;H.Tatsuoka;Y.Otani,Y.Fukuda,T.Sato,H.Toyota,H.Okamoto,andT.Ono
• 通讯作者: Y.Otani,Y.Fukuda,T.Sato,H.Toyota,H.Okamoto,andT.Ono