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Basic study of high-density nanowire memories by using ferrimagnetic multilayers
使用亚铁磁多层膜的高密度纳米线存储器的基础研究
基本信息
- 批准号：22560318
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
In order to reduce a critical current density in nanowire memories based on spin-transfer torque effect, the effect of material parameters on the critical current density has been investigate. In order to realize high-density bit, the effect of nanowire structure on recording density has also been studied. As a result, the redction of the saturation magnetization is an effective way to reduce the critical current density, and we have proposed that a ferrimagnetic material near the compensation composition is a strong candidate for the low current operation. Moreover, we have proposed the bilayer nanowire consisting of a granular layer and a continuous layer to achieve high-density bit further than that of single-layered nanowires.
为了降低基于自旋转移矩效应的纳米线存储器中的临界电流密度，研究了材料参数对临界电流密度的影响。为了实现高密度位，还研究了纳米线结构对记录密度的影响。因此，减少饱和磁化强度是降低临界电流密度的有效方法，并且我们提出补偿成分附近的亚铁磁材料是低电流操作的有力候选者。此外，我们提出了由颗粒层和连续层组成的双层纳米线，以实现比单层纳米线更高的高密度。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
磁壁ピン止めを有するナノワイヤにおける電流誘起磁壁移動の シミュレーション
具有畴壁钉扎的纳米线中电流感应畴壁运动的模拟
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：劉羽、丹陽平;小林春夫、新津葵一;大庭,藤村,小峰,杉田
- 通讯作者：大庭,藤村,小峰,杉田
Current-induced domain wall motion in a multilayered nanowire for achieving high density bit
多层纳米线中电流引起的畴壁运动以实现高密度位
- DOI：10.1063/1.3679760
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Komine;A. Ooba;and R. Sugita
- 通讯作者：and R. Sugita
垂直磁気異方性細線における電流誘起磁壁移動のマイクロマグネティックシミュレーション
垂直磁各向异性细线中电流感应畴壁运动的微磁模拟
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：大庭;高橋;小峰;杉田
- 通讯作者：杉田
Numerical Analysis of Effect of Scattering Process on Transport Properties in Bi Nanowires
散射过程对 Bi 纳米线传输特性影响的数值分析
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Ichige;T. Matsumoto;T. Komine;R. Sugita;T. Aono Y. Hasegawa;M. Murata;and D. Nakamura
- 通讯作者：and D. Nakamura
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