Analysis of IMD sweet-spots in microwave field-effect transistors for improved linearity of power amplifiers for UMTS application

Die Anforderungen和Die Linearität von Leistungsverstärkem (HPA) in Basisstationen f<e:2> r UMTS Anwendungen mit iner Modulationsbandbreite von 5 MHz stelline groe Herausforderung和den Schaltungsentwurf dar。2 .在德国Zukunft weiterin verschärfen的情况下，在UMTS LTE和4G标准之间的调制速率为15mhz bzw。100 MHz。Auf nationaler和europäischer Ebene werden的父亲größte在强化半导体半导体的基础上，研究了半导体半导体互调与超调晶体管（IMD）的优化。大北工业机械技术有限公司。氮化镓技术的研究进展。IMD-Verhalten是指晶体管的最佳估计。Sweet-Spots kennzeichnen (erw<s:1> nschte) starke einbricche in der mit der Eingangsleistung monoton antisteigenden imd - charakterisk。Das Vorhaben hat zum Ziel， Das autreten and die control mechanmen von甜蜜点zuversteen， um sie bebem Entwurf eines Leistungsverstärkers nutzbringend zur Verbesserung seiner Linearität zuverwenden。

Die Anforderungen an die Linearität von Leistungsverstärkem (HPA) in Basisstationen für UMTS Anwendungen mit einer Modulationsbandbreite von 5 MHz stellen eine große Herausforderung an den Schaltungsentwurf dar. Die Situation wird sich in naher Zukunft weiterhin verschärfen mit der Einführung des UMTS LTE sowie 4G Standards mit Modulationsbandbreiten von 15 MHz bzw. 100 MHz. Auf nationaler und europäischer Ebene werden daher größte Anstrengungen unternommen, die Intermodulationsverzerrungen (IMD) eines Leistungstransistors zu optimieren. Dabei spielt die Auswahl der Technologie (z. Zt. vorrangig Galliumnitrid-Technologie) eine wichtige Rolle. Das IMD-Verhalten wird auch wesentlich von dem Betriebszustand eines Transistors bestimmt. Sweet-Spots kennzeichnen (erwünschte) starke Einbrüche in der mit der Eingangsleistung monoton ansteigenden IMD-Charakteristik. Das Vorhaben hat zum Ziel, das Auftreten und die Kontrollmechanismen von Sweet-Spots zu verstehen, um sie beim Entwurf eines Leistungsverstärkers nutzbringend zur Verbesserung seiner Linearität zu verwenden.