Analysis of IMD sweet-spots in microwave field-effect transistors for improved linearity of power amplifiers for UMTS application

分析微波场效应晶体管中的 IMD 最佳点,以提高 UMTS 应用功率放大器的线性度

基本信息

项目摘要

Die Anforderungen an die Linearität von Leistungsverstärkem (HPA) in Basisstationen für UMTS Anwendungen mit einer Modulationsbandbreite von 5 MHz stellen eine große Herausforderung an den Schaltungsentwurf dar. Die Situation wird sich in naher Zukunft weiterhin verschärfen mit der Einführung des UMTS LTE sowie 4G Standards mit Modulationsbandbreiten von 15 MHz bzw. 100 MHz. Auf nationaler und europäischer Ebene werden daher größte Anstrengungen unternommen, die Intermodulationsverzerrungen (IMD) eines Leistungstransistors zu optimieren. Dabei spielt die Auswahl der Technologie (z. Zt. vorrangig Galliumnitrid-Technologie) eine wichtige Rolle. Das IMD-Verhalten wird auch wesentlich von dem Betriebszustand eines Transistors bestimmt. Sweet-Spots kennzeichnen (erwünschte) starke Einbrüche in der mit der Eingangsleistung monoton ansteigenden IMD-Charakteristik. Das Vorhaben hat zum Ziel, das Auftreten und die Kontrollmechanismen von Sweet-Spots zu verstehen, um sie beim Entwurf eines Leistungsverstärkers nutzbringend zur Verbesserung seiner Linearität zu verwenden.
Die Anforderungen an die Linearität von Leistungsverstärkem(HPA)in Basisstationen für UMTS Anwendungen mit einer Modulationsbandbreite von 5 MHz stellen eine große Herausforderung an den Schaltungsentwurf dar.这种情况将在不久的将来改变,这与UMTS LTE的Einführung sowie 4G标准有关,该标准的调制带宽为15 MHz bzw。100兆赫。在国内和欧洲,韦尔登人可以很好地利用互联网,使IMD成为一种最佳的电子晶体管。大北展示了技术的优势。Zt.(或氮化镓技术)一种很好的轧辊。这一IMD测试也将用于测试一个晶体管。Sweet-Spots kennzeichnen(erwünschte)starke Einbrüche in der mit der Eingangsleistung monoton ansteigenden IMD-Charakteristik.这是一个很好的解决方案,它的优点是可以通过对甜蜜点的控制机制来实现,而且它的优点是可以使线性化。

项目成果

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