Analysis of IMD sweet-spots in microwave field-effect transistors for improved linearity of power amplifiers for UMTS application

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Die Anforderungen an die Linearität von Leistungsverstärkem (HPA) in Basisstationen für UMTS Anwendungen mit einer Modulationsbandbreite von 5 MHz stellen eine große Herausforderung an den Schaltungsentwurf dar. Die Situation wird sich in naher Zukunft weiterhin verschärfen mit der Einführung des UMTS LTE sowie 4G Standards mit Modulationsbandbreiten von 15 MHz bzw. 100 MHz. Auf nationaler und europäischer Ebene werden daher größte Anstrengungen unternommen, die Intermodulationsverzerrungen (IMD) eines Leistungstransistors zu optimieren. Dabei spielt die Auswahl der Technologie (z. Zt. vorrangig Galliumnitrid-Technologie) eine wichtige Rolle. Das IMD-Verhalten wird auch wesentlich von dem Betriebszustand eines Transistors bestimmt. Sweet-Spots kennzeichnen (erwünschte) starke Einbrüche in der mit der Eingangsleistung monoton ansteigenden IMD-Charakteristik. Das Vorhaben hat zum Ziel, das Auftreten und die Kontrollmechanismen von Sweet-Spots zu verstehen, um sie beim Entwurf eines Leistungsverstärkers nutzbringend zur Verbesserung seiner Linearität zu verwenden.