Development of formation technologies of high-quality half-metal full-Heusler alloys on Si and spin-injection technologies

硅基高质量半金属全霍斯勒合金的形成技术和旋转注射技术的开发

• 批准号: 22760226
• 负责人: SHUTO Yusuke
• 金额: $ 2.33万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22760226/
• 关键词: 作成・評価技術; スピントロニクス材料; スピントロニクス; エピタキシャル; 先端機能デバイス; 磁性; MBE,エピタキシャル

"Silicon spintronics "is promising for improving functionalities of silicon CMOS technology without scaling. To develop this technology, methods of spin-injection/detection/manipulation for a Si channel must be established. Therefore, in this study, formation technologies of high-quality half-metal full-Heusler alloys, which can become high-efficient spin-injector/detector, on Si were developed. Furthermore, device structures which were suitable for observing behavior of spins were designed.

“硅自旋电子学“有望在不缩小的情况下提高硅CMOS技术的功能。为了开发这种技术，必须建立用于Si沟道的自旋注入/检测/操纵的方法。因此，在本研究中，高品质的半金属全Heusler合金，可以成为高效的自旋注入器/检测器，在Si上的形成技术的发展。此外，设计了适合于观察自旋行为的器件结构。

项目成果

非局所配置マルチターミナルデバイスの数値解析シミュレーション

非本地放置多终端设备数值分析仿真

• 发表时间: 2010
• 作者: 周藤悠介;高村陽太;菅原聡
• 通讯作者: 菅原聡

Comparative study of full-Heusler Co_2FeSi and Co_2FeGe alloy thin films formed by rapid thermal annealing

快速热退火形成全赫斯勒Co_2FeSi和Co_2FeGe合金薄膜的对比研究

• 发表时间: 2010
• 作者: Yota Takamura;Takuya Sakurai;Ryosyo Nakane;Yusuke Shuto;Satoshi Sugahara
• 通讯作者: Satoshi Sugahara

Numerical simulation analysis of nonlocal multi-terminal devices for spin current detection in semiconductors

半导体自旋流非局域多端器件数值模拟分析

• 发表时间: 2010
• 作者: Yusuke Shuto;Yota Takamura;Satoshi Sugahara
• 通讯作者: Satoshi Sugahara

RTAによるフルホイスラー合金Co_2FeGe薄膜のエピタキシャル形成

RTA外延形成全Heusler合金Co_2FeGe薄膜

• 发表时间: 2010
• 作者: 櫻井卓也;高村陽太;中根了昌;周藤悠介;菅原聡
• 通讯作者: 菅原聡