構造・物性・機能の単分散性を実現する酸化物一次元ナノ構造体の創成

创建一维氧化物纳米结构，实现结构、物理性质和功能的单分散性

• 批准号: 22681014
• 负责人: 柳田 剛
• 金额: $ 6.24万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22681014/
• 关键词: ナノ材料; マイクロ・ナノデバイス; セラミックス; 酸化物; ナノワイヤ

これまでに我々が明らかにした気・液・固(VLS)反応法における酸化物ナノワイヤ結晶成長物理メカニズムに立脚した新規手法を開発した。酸化物VLSナノワイヤ結晶成長において、金属触媒サイズ分布とアドアトム動的挙動を制御することが最も重要な制御因子であることが明らかになっている。そこで、基板上で規定されたサイズ・距離で固定化された金属触媒を実現し、ナノワイヤ径・長さ分布における統計分散を制御し、従来は困難であったナノワイヤ構造の単分散性を得られると考えるに至った。上記"規定されたサイズ・距離で固定化された金属触媒"を実現する為に、大量生産が原理的に可能な触媒ナノプリンティング法を用いた。本手法は、規定されたサイズ・距離を有する鋳型モールドの転写プロセスを介して基板上に金属触媒を固定化する。転写プロセスの耐久性・生産性を勘案し、鋳型モールドはSiマスターモールドから転写されたPDMSレプリカモールドを使用した。基板上に転写された金属触媒を熱処理によって10nm以下のサイズ収縮させ、その均一性を評価した。このように規定された金属触媒を用いて酸化物VLSナノワイヤ形成(MgO,SnO2等)及びヘテロナノワイヤ構造化(MgO/NiO,MgO/Co304,SnO2/TiO2等)を真空蒸着装置を用いて行った。触媒サイズ・触媒間距離が形成されるナノワイヤ径・長さの統計分布に与える影響を定量的に解析した。

The new method of crystallization growth was developed by the method of reaction of acid and solid. Acidification VLS is the most important control factor for crystal growth, metal catalyst distribution and activation. For example, if a metal catalyst is immobilized on a substrate, it is difficult to control the dispersion of the structure. The above notes indicate that the principle of mass production of immobilized metal catalysts can be used. This method provides for the immobilization of metal catalysts on a substrate with different distances between the electrodes. The durability and productivity of PDMS are investigated, and PDMS is used. The heat treatment of the metal catalyst on the substrate was evaluated for its uniformity and shrinkage below 10nm. This article provides for the use of metal catalysts in the formation of acid compounds VLS (MgO, SnO2, etc.) and in the construction of metal catalysts (MgO/NiO,MgO/Co304, SnO2/TiO2, etc.) in vacuum evaporation equipment. The statistical distribution and quantitative analysis of the influence of catalyst distance on catalyst formation

项目成果

Role of surrounding oxygen on oxide nanowire growth

• DOI: 10.1063/1.3474605
• 发表时间: 2010-08
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: A. Klamchuen;T. Yanagida;M. Kanai;K. Nagashima;Keisuke Oka;T. Kawai;Masaru Suzuki;Y. Hidaka;S. Kai

Resistive Switching Non-volatile Memory in a Single Oxide Nanowire

单氧化物纳米线中的电阻开关非易失性存储器

• 发表时间: 2010
• 作者: Yanagida;T.
• 通讯作者: T.

Numerical Study on VLS Oxide Nanowire Growth

VLS氧化物纳米线生长的数值研究

• 发表时间: 2010
• 作者: Suzuki;M.;Y.Hidaka;T.Yanagida;M.Kanai;T.Kawai;S.Kai
• 通讯作者: S.Kai

Metal Oxide Nanowires : Synthesis, Properties and Non-volatile Memory Applications

金属氧化物纳米线：合成、特性和非易失性存储器应用

• 发表时间: 2009
• 作者: 小長谷有紀;後藤正憲(編);石田慎一郎 (編);長島一樹;長島一樹;Annop Klamchuen;岡敬祐;岡敬祐;長島一樹;Aurelian Marcu;柳田剛;岡敬祐;長島一樹;柳田剛;柳田剛;長島一樹;Annop Klamchuen;岡敬祐;Annop Klamchuen;長島一樹;岡敬祐;柳田剛;柳田剛;柳田剛;長島一樹;長島一樹;長島一樹;岡敬祐;長島一樹;柳田剛
• 通讯作者: 柳田剛

Crucial Role of Redox Events on Non-volatile Resistive Switching in Cobalt Oxide Nanostructures

氧化还原事件对氧化钴纳米结构非易失性电阻开关的关键作用

• 发表时间: 2010
• 作者: Nagashima;K.;T.Yanagida;K.Oka;M.Kanai;J.S.Kim;B.H.Park;T.Kawai
• 通讯作者: T.Kawai