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構造制御された遷移金属酸化物ナノワイヤの創成と物性評価

结构控制过渡金属氧化物纳米线的制备及性能评价

基本信息

批准号：
18710101
负责人：
柳田剛
金额：
$ 1.92万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
起止时间：
2006 至 2007
项目状态：
已结题

项目摘要

構造制御された遷移金属酸化物ヘテロナノワイヤの創成に向けて、(1)テンプレートとなるMgOナノワイヤの新規創成とその結晶成長メカニズム解明、(2)高度に制御されたナノワイヤテンプレート上にwell-definedなヘテロ構造を有するヘテロナノワイヤの創製とヘテロ界面の物性に与える影響について検討を行った。(1)に関しては、レーザMBE法を用いて高結晶性のMgOナノワイヤを作製し、影響因子(金属触媒量、雰囲気温度、雰囲気圧力、蒸着フラックス等)が一次元結晶成長メカニズムに与える効果について検討し、その物理メカニズムの詳細を明らかにした。例えば、雰囲気温度を緻密に制御することにより酸化物ナノワイヤ形状が劇的に変化することを見出し、その物理起源が表面拡散アドアトムの動的挙動に起因する効果であることを明らかにした。また、基板面方位、アブレーションフラックスが動的な酸化物VLS結晶成長に与えるメカニズムについて検討し、従来困難であったwell-definedなMgOナノワイヤ形成を可能とした。(2)に関しては、in-situナノワイヤヘテロ構造創製法を構築した。本手法は大気暴露なしにwell-definedなヘテロ界面を創出することを可能とした。更に、ヘテロ構造作製雰囲気条件を緻密に制御することによってwell-definedなヘテロ界面を有するナノワイヤヘテロ構造体の作製に成功した。加えて、ヘテロ界面が電気輸送特性・磁気特性に大きな影響を与えることを明らかにした。

Metal structure suppression された migration acidification content ヘテロナノワイヤの chuang cheng に to けて, (1) テンプレートとなる MgO style ナノワイヤの new rules into constructing とその crystal growth メカニズム uttered, (2) highly に suppression されたナノワイヤテンプレートに on well - defined なヘテロ a すを construction るヘテロナノワイヤの created とヘテロ interface にの physical properties and える influence について検 line for をった. (1) に masato しては, レーザを MBE method with いて high crystalline の MgO style ナノワイヤを as し, impact factor (metal catalyst amount, 雰囲気 temperature, 雰囲気 pressure, steamed フラックス etc) が a yuan crystal growth メカニズムに and える unseen fruit について beg し検, その physical メカニズムの detailed を Ming らかにした. Example えば, 雰囲気 temperature を dense に suppression することにより acidification content ナノワイヤ shape が drama に variations change することを see し, その physical origin が surface scattered ア company ドアトムの挙 of move に cause する unseen fruit であることを Ming らかにした. また, board face location, アブレーションフラックスが dynamic な acidification of VLS crystal growth に and えるメカニズムについて beg し検, difficulty 従 to であった well - defined な MgO style ナノワイヤ may form をとした. (2)に related to てて, in situナノワヤヘテロ construction creation method を construction たた. This technique largely exposes the なににwell definedなヘテロ interface を to create するとをとをとを possibly とた. More に, ヘテロ structure for making 雰囲気 conditions を dense に suppression することによって well - defined なヘテロ interface をするナノワイヤヘテロ constructs の cropping に successful した. Add えて, ヘテロ interface が electric 気 transmission characteristics, magnetic 気 features に big きな influence を and えることを Ming らかにした.