Mechanism of oxygen transportation in Czochralski Ge crystal growth from the melt covered by B_2O_3
Mechanism of oxygen transportation in Czochralski Ge crystal growth from the melt covered by B_2O_3
B_2O_3覆盖熔体中直拉Ge晶体生长的氧传输机制
批准号：
22686002
负责人：
TAISHI Toshinori
金额：
$16.89万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2010 至 2012
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英文摘要
Mechanism of oxygen transportation in Czochralski germanium (Ge) crystal growth from the melt covered by B_2O_3 was investigated. Ge crystals with high oxygen concentration up to were successfully grown from the melt fully covered by B_2O_3. In such growth, GeO_2 particles is decomposed by B_2O_3, however, few B and Si atoms were contaminated in the Ge melt and the grown crystal. Dissolution, evaporation and segregation of oxygen in the present growth were also discussed, finally, transportation of oxygen during the growth was clarified.
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Evaluations of oxygen impurities in Ge crystals Czochralski-grown from melts partially or fully covered by B_2O_3 liquid, Proc
从部分或完全被 B_2O_3 液体覆盖的熔体中直拉生长的 Ge 晶体中氧杂质的评估，Proc
从部分或完全被 B_2O_3 液体覆盖的熔体中直拉生长的 Ge 晶体中氧杂质的评估，Proc
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials
影响因子：
--
作者：
[T. Taishi, Y. Hashimoto, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, I. Yonenaga]
通讯作者：
I. Yonenaga
B_2O_3で覆われた融液からのCZ-Ge結晶育成における酸素の偏析
B_2O_3 覆盖熔体生长 CZ-Ge 晶体过程中的氧偏析
B_2O_3 覆盖熔体生长 CZ-Ge 晶体过程中的氧偏析
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[太子敏則, 米永一郎, 干川圭吾]
通讯作者：
干川圭吾
Growth and characterization of germanium crystals from B_2O_3-coverd melt
B_2O_3覆盖熔体中锗晶体的生长和表征
B_2O_3覆盖熔体中锗晶体的生长和表征
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takumi Hiasa, Kenjiro Kimura, Hiroshi Onishi, Masahiro Ohta, Kazuyuki Watanabe, Ryohei Kokawa, Noriaki Oyabu, Kei Kobayashi, Hirofumi Yamada, T. Taishi]
通讯作者：
T. Taishi
B_2O_3で覆われた融液からのCZ- Ge結晶育成におけるB、 Si、 Oの反応
B_2O_3 覆盖熔体生长 CZ-Ge 晶体时 B、Si 和 O 的反应
B_2O_3 覆盖熔体生长 CZ-Ge 晶体时 B、Si 和 O 的反应
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[横田統徳, 成田和繁, 吉田昭二, 寺田康彦, 武内修, 重川秀実, T.Michinobu, 太子敏則, Y. Togawa, 高橋宏治, S. Inoue and A. Otomo, 戸川欣彦，小山司，森茂生，高阪勇輔，秋光純，西原禎文，井上克也，岸根順一郎, 太子敏則,米永一郎,干川圭吾]
通讯作者：
太子敏則,米永一郎,干川圭吾
Evaluation of oxygen-related defects in Ge crystals grown from the melt covered by B_2O_3
B_2O_3 覆盖熔体生长的 Ge 晶体中与氧相关的缺陷评估
B_2O_3 覆盖熔体生长的 Ge 晶体中与氧相关的缺陷评估
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T.Taishi, Y.Hashimoto, H.Ise, Y.Murao, T.Ohsawa, Y.Tokumoto, Y.Ohno, I.Yonenaga]
通讯作者：
I.Yonenaga
共 31 条
Formation mechanism of grown-in defects in Czochralski germanium crystal growth
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批准号：20760003
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2008
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负责人：TAISHI Toshinori
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依托单位：
海外基金