Construction of III-V CMOS Photonics

III-V CMOS 光子学的构建

基本信息

  • 批准号：
    22686034
  • 负责人：
    TAKENAKA Mitsuru
  • 金额：
    $ 16.47万
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份：
    2010
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2010-04-01 至 2014-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

We have successfully established the fabrication procedure of III-V-on-Insulator (III-V-OI) wafers by using the direct wafer bonding technology. As a result, we have demonstrated high-performance optical switches/modulators and waveguide photodetectors on the III-V-OI wafer in addiction to InP-based photonic-wire passive devices. We have also established the fabrication procedure of InGaAs MOS transistors on the III-V-OI wafer.Thus, we have successfully demonstrated the basic concept of the III-V CMOS photonics platform on which ultra-small III-V-based photonic-wire devices and high-performance III-V-based CMOS transistors can be co-integrated by using the III-V-OI wafer.
我们利用直接键合技术成功地建立了绝缘体上III-V-OI(III-V-OI)晶片的制造工艺。因此，除了基于InP的光子线无源器件外，我们还在III-V-OI晶片上展示了高性能的光开关/调制器和光波导光探测器。我们还建立了在III-V-OI晶片上制作InGaAsMOS晶体管的工艺，从而成功地展示了利用III-V-OI晶片共集成基于III-V的超小型光子线器件和基于高性能的III-V基晶体管的III-V CMOS光子学平台的基本概念。

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
III-V/Ge device engineering for CMOS photonics
CMOS 光子学的 III-V/Ge 器件工程
  • DOI：
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    齊藤 伸;鈴木 理明;杜 関祥;高橋 研;M. Takenaka and S. Takagi
  • 通讯作者：
    M. Takenaka and S. Takagi
InPとAl2O3パッシベーションによるInGaAsP細線導波路の損失改善
InP 和 Al2O3 钝化改善 InGaAsP 线波导的损耗
  • DOI：
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    一宮佑希;横山正史;市川磨;秦雅彦;竹中充;高木信一
  • 通讯作者：
    高木信一
ALD Al2O3 activated direct wafer bonding for III-V CMOS photonics platform
ALD Al2O3 激活 III-V CMOS 光子平台的直接晶圆键合
  • DOI：
  • 发表时间：
    2011
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Ikku;M. Yokoyama;R. Iida;M. Sugiyama;Y. Nakano;M. Takenaka;S. Takagi
  • 通讯作者：
    S. Takagi
III-V CMOSフォトニクスを用いた低電流駆動光スイッチ
使用 III-V CMOS 光子学的低电流驱动光开关
  • DOI：
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kawai Yuki;Tadashi Tsubone;Tsuyoshi Sekitani;一宮佑希，横山正史，市川磨，秦雅彦，竹中充，高木信一
  • 通讯作者：
    一宮佑希，横山正史，市川磨，秦雅彦，竹中充，高木信一
High performance sub-20-nm-channel-length extremely-thin body InAs-on-insulator Tri-gate MOSFETs with high short channel effect immunity and V_<th> tunability
高性能亚 20 nm 沟道长度极薄体 InAs 绝缘体三栅极 MOSFET，具有高短沟道效应抗扰度和 V_<th> 可调谐性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. H. Kim;M. Yokoyama;R. Nakane;O. Ichikawa;T. Osada;M. Hata;M. Takenaka and S. Takagi
  • 通讯作者：
    M. Takenaka and S. Takagi
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III-V-OI MOS structure by using selective wet oxidation of InAlAs layer
采用InAlAs层选择性湿法氧化的III-V-OI MOS结构
  • 批准号：
    19860024
  • 财政年份：
    2007
  • 资助金额：
    $ 16.47万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
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