Construction of III-V CMOS Photonics
Construction of III-V CMOS Photonics
批准号:
22686034
负责人:
TAKENAKA Mitsuru
金额:
$16.47万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份:
2010
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2010-04-01 至 2014-03-31
中文摘要
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英文摘要
We have successfully established the fabrication procedure of III-V-on-Insulator (III-V-OI) wafers by using the direct wafer bonding technology. As a result, we have demonstrated high-performance optical switches/modulators and waveguide photodetectors on the III-V-OI wafer in addiction to InP-based photonic-wire passive devices. We have also established the fabrication procedure of InGaAs MOS transistors on the III-V-OI wafer.Thus, we have successfully demonstrated the basic concept of the III-V CMOS photonics platform on which ultra-small III-V-based photonic-wire devices and high-performance III-V-based CMOS transistors can be co-integrated by using the III-V-OI wafer.
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III-V/Ge device engineering for CMOS photonics
CMOS 光子学的 III-V/Ge 器件工程
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[齊藤 伸, 鈴木 理明, 杜 関祥, 高橋 研, M. Takenaka and S. Takagi]
通讯作者:
M. Takenaka and S. Takagi
III-V CMOSフォトニクスを用いた低電流駆動光スイッチ
使用 III-V CMOS 光子学的低电流驱动光开关
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kawai Yuki, Tadashi Tsubone, Tsuyoshi Sekitani, 一宮佑希,横山正史,市川磨,秦雅彦,竹中充,高木信一]
通讯作者:
一宮佑希,横山正史,市川磨,秦雅彦,竹中充,高木信一
InPとAl2O3パッシベーションによるInGaAsP細線導波路の損失改善
InP 和 Al2O3 钝化改善 InGaAsP 线波导的损耗
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[一宮佑希, 横山正史, 市川磨, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一]
通讯作者:
高木信一
ALD Al2O3 activated direct wafer bonding for III-V CMOS photonics platform
ALD Al2O3 激活 III-V CMOS 光子平台的直接晶圆键合
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y. Ikku, M. Yokoyama, R. Iida, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka, S. Takagi]
通讯作者:
S. Takagi
High performance sub-20-nm-channel-length extremely-thin body InAs-on-insulator Tri-gate MOSFETs with high short channel effect immunity and V_<th> tunability
高性能亚 20 nm 沟道长度极薄体 InAs 绝缘体三栅极 MOSFET,具有高短沟道效应抗扰度和 V_<th> 可调谐性
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi]
通讯作者:
M. Takenaka and S. Takagi
共 46 条
III-V-OI MOS structure by using selective wet oxidation of InAlAs layer
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批准号:19860024
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
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资助金额:$1.99万
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财政年份:2007
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负责人:TAKENAKA Mitsuru
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依托单位: