III-V-OI MOS structure by using selective wet oxidation of InAlAs layer

采用InAlAs层选择性湿法氧化的III-V-OI MOS结构

• 批准号: 19860024
• 负责人: TAKENAKA Mitsuru
• 金额: $ 1.99万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19860024/
• 关键词: MOSFET; 化合物半導体; InAlAs; InGaAs; InP; ウェット酸化; 電子デバイス・機器; 半導体物性; III-V族半導体; InAlAs酸化膜

InAlAsのウェット酸化を利用したIII-V MOS 界面の研究を行った。XPS 分析、エリプソメトリー、TEM 像解析等により、InAlAs の酸化機構を明らかにし、良好な界面特性を持つInAlAs/InP MOS界面を実現することに成功した。またInP 酸化防止層を配した構造において、InAlAs 層の自然酸化を抑制することで、良好なMOS 界面が再現性良く得られることを明らかにした。これにより既存のSi トランジスタの性能を上回るIII-V トランジスタを実現するための基盤技術を確立した。

InAlAs and Their Applications to III-V MOS Interface XPS analysis, TEM image analysis, etc., InAlAs acidizing mechanism has been improved, good interface characteristics have been achieved, and InAlAs/InP MOS interface has been successfully realized. InP acidizing prevention layer structure, InAlAs layer natural acidizing suppression, good MOS interface reproducibility, good performance The performance of the existing silicon substrate was improved and the substrate technology was established.

项目成果

Investigation of InAlAs oxide/InP metal-oxide-semiconductor structures formed bywet thermal oxidation

湿热氧化形成的 InAlAs 氧化物/InP 金属氧化物半导体结构的研究

• 发表时间: 2009
• 期刊: Japanese Journal ofApplied Physics (JJAP) vol.48, No.2
• 作者: S. Nakagawa;M. Yokoyama;O. Ichikawa;M.Hata;M. Tanaka;M. Takenaka;S. Takagi
• 通讯作者: S. Takagi

Fabrication of III-V MOS structure by using selective oxidation of InAlAs

InAlAs选择性氧化制备III-V族MOS结构

• 发表时间: 2008
• 作者: S. Nakagawa;M. Yokoyama;O. Ichikawa;M. Hata;M. Tanaka;M. Takenaka. S. Takagi
• 通讯作者: M. Takenaka. S. Takagi

Investigation of InAlAs oxide/InP metal-oxide-semiconductor structures formed by wet thermal oxidation

湿热氧化形成的 InAlAs 氧化物/InP 金属氧化物半导体结构的研究

• 发表时间: 2009
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics 48(掲載確定in press)
• 作者: S. Nakagawa;M. Yokoyama;O. Ichikawa;M. Hata;M. Tanaka;M. Takenaka. S. Takagi
• 通讯作者: M. Takenaka. S. Takagi

Fabrication of III-V MOS structureby using selective oxidation of InAlAs

InAlAs选择性氧化制备III-V族MOS结构

• 发表时间: 2009
• 作者: S. Nakagawa;M. Yokoyama;O. Ichikawa,M. Hata;M. Tanaka;M. Takenaka;S.Takagi
• 通讯作者: S.Takagi

InAlAs選択酸化によるIII-V MOS界面構造の形成

InAlAs选择性氧化形成III-V MOS界面结构

• 发表时间: 2008
• 作者: 中川翔太;横山正史;市川磨;秦雅彦;田中雅明;竹中充;高木信一
• 通讯作者: 高木信一