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III-V-OI MOS structure by using selective wet oxidation of InAlAs layer

III-V-OI MOS structure by using selective wet oxidation of InAlAs layer
采用InAlAs层选择性湿法氧化的III-V-OI MOS结构
批准号：
19860024
负责人：
TAKENAKA Mitsuru
金额：
$1.99万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19860024/
关键词：
MOSFET化合物半導体InAlAsInGaAsInPウェット酸化電子デバイス・機器半導体物性III-V族半導体InAlAs酸化膜

项目摘要

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InAlAsのウェット酸化を利用したIII-V MOS 界面の研究を行った。XPS 分析、エリプソメトリー、TEM 像解析等により、InAlAs の酸化機構を明らかにし、良好な界面特性を持つInAlAs/InP MOS界面を実現することに成功した。またInP 酸化防止層を配した構造において、InAlAs 層の自然酸化を抑制することで、良好なMOS 界面が再現性良く得られることを明らかにした。これにより既存のSi トランジスタの性能を上回るIII-V トランジスタを実現するための基盤技術を確立した。
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会议论文
Investigation of InAlAs oxide/InP metal-oxide-semiconductor structures formed bywet thermal oxidation
湿热氧化形成的 InAlAs 氧化物/InP 金属氧化物半导体结构的研究
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Japanese Journal ofApplied Physics (JJAP) vol.48, No.2
影响因子： --
作者： [S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M.Hata, M. Tanaka, M. Takenaka, S. Takagi]
通讯作者： S. Takagi
Fabrication of III-V MOS structure by using selective oxidation of InAlAs
InAlAs选择性氧化制备III-V族MOS结构
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Tanaka, M. Takenaka. S. Takagi]
通讯作者： M. Takenaka. S. Takagi
Investigation of InAlAs oxide/InP metal-oxide-semiconductor structures formed by wet thermal oxidation
湿热氧化形成的 InAlAs 氧化物/InP 金属氧化物半导体结构的研究
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Japanese Journal of Applied Physics 48(掲載確定in press)
影响因子： --
作者： [S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Tanaka, M. Takenaka. S. Takagi]
通讯作者： M. Takenaka. S. Takagi
Fabrication of III-V MOS structureby using selective oxidation of InAlAs
InAlAs选择性氧化制备III-V族MOS结构
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa,M. Hata, M. Tanaka, M. Takenaka, S.Takagi]
通讯作者： S.Takagi
共 7 条
    Construction of III-V CMOS Photonics
    • 批准号：
      22686034
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • 资助金额：
      $16.47万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      TAKENAKA Mitsuru
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    海外基金