Study on physical properties of Mott-insulating and electron-doped state of ambipolar high-Tc cuprates

双极性高温铜酸盐莫特绝缘态和电子掺杂态物理性质研究

基本信息

  • 批准号:
    22740229
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2010
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2010 至 2011
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The aim of the present project is studying the physical properties of an insulating state and an electron-doped state in a new candidate of an ambipolar cuprate using Nd. I have succeeded in making single crystals of the system, but unfortunately ambipolar doping was not realized.
本项目的目的是研究一种新型的双极掺钕铜酸盐中绝缘态和电子掺杂态的物理性质。我已经成功地制作了该系统的单晶,但不幸的是,双极掺杂没有实现。

项目成果

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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
トポロジカル量子相転移を示す物質TlBi(SexS1_1_x)_2の試料作製と輸送特性
拓扑量子相变材料 TlBi(SexS1_1_x)_2 的样品制备和输运特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    瀬川耕司;南達哉;江藤数馬;佐々木聡;安藤陽一
  • 通讯作者:
    安藤陽一
両極ドープ系Y_<1-z>La_z(Ba_<1-x>La_x)_2Cu_3O_yの角度分解光電子分光
双极性掺杂体系Y_<1-z>La_z(Ba_<1-x>La_x)_2Cu_3O_y的角分辨光电子能谱
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. P. Delmo;S. Yamamoto;S. Kasai;T. Ono;K. Kobayashi;植村渉
  • 通讯作者:
    植村渉
トポロジカル超伝導体CuxBi2Se3の低温電子状態
拓扑超导体CuxBi2Se3的低温电子态
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    岩瀬文達;鄭 国慶;Y.S. Hor;M. Kriener;瀬川耕司;Z. Ren;安藤陽一
  • 通讯作者:
    安藤陽一
Bulk Superconducting Phase with a Full Energy Gap in the Doped Topological Insulator CuxBi2Se3
  • DOI:
    10.1103/physrevlett.106.127004
  • 发表时间:
    2011-03-23
  • 期刊:
  • 影响因子:
    8.6
  • 作者:
    Kriener, M.;Segawa, Kouji;Ando, Yoichi
  • 通讯作者:
    Ando, Yoichi
トポロジカル絶縁体候補物質タリウム系三元カルコゲナイド単結晶の輸送特性
拓扑绝缘体候选材料铊基三元硫属化物单晶的输运特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Kotegawa;et al.;井口敏;瀬川耕司
  • 通讯作者:
    瀬川耕司
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