Electronic states and electric properties under device operation
器件运行时的电子态和电特性
基本信息
- 批准号:23560033
- 负责人:
- 金额:$ 3.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2011
- 资助国家:日本
- 起止时间:2011-04-28 至 2015-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Determination of Schottky barrier profile at Pt/SrTiO3:Nb junction by x-ray photoemission
通过 X 射线光电发射测定 Pt/SrTiO3:Nb 结处的肖特基势垒剖面
- DOI:10.1063/1.4772628
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:N. Ohashi;H. Yoshikawa;Y. Yamashita;S. Ueda;J. Li;H. Okushi;K. Kobayashi and H. Haneda
- 通讯作者:K. Kobayashi and H. Haneda
Direct Observation of Electronic Structures in High-k Based Devices under Device Operation
在器件运行下直接观察基于高 k 的器件中的电子结构
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Tsushima;S. Mori;Y. Nishimura;K. Hishii; K. Kasahara;T. Yaji;H. Miyazaki;N. Ikeda;M. Ochiai; H. Oosato;and Y. Sugimoto;Yoshiyuki Yamashita
- 通讯作者:Yoshiyuki Yamashita
デバイス動作下硬X線光電子分光法による半導体素子の界面評価
在器件运行下使用硬 X 射线光电子能谱评估半导体器件的界面
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Sano;T. Shima;M. Kuwahara;Y. Fujita;M. Uchiyama;and Y. Aono;山下良之
- 通讯作者:山下良之
Bias-voltage application in a hard x-ray photoelectron spectroscopic study of the interface states at oxide/Si(100) interface
偏置电压在氧化物/Si(100)界面界面态硬X射线光电子能谱研究中的应用
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yoshiyuki Yamashita;Hideki Yoshikawa;Toyohiro Chikyow;and Keisuke Kobayashi
- 通讯作者:and Keisuke Kobayashi
Photoelectron spectroscopic study on band alignment of poly(3-hexylthiophene-25-diyl)/polar-ZnO heterointerface
聚(3-己基噻吩-25-二基)/极性-ZnO异质界面能带排列的光电子能谱研究
- DOI:10.1016/j.tsf.2013.08.018
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:2.1
- 作者:T.Nagata;O. Seungjun;Y. Yamashita;H. Yoshikawa;N. IKENO;K. Kobayashi,T. Chikyo;Y. Wakayama
- 通讯作者:Y. Wakayama
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YAMASHITA Yoshiyuki其他文献
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$ 3.41万 - 项目类别:
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$ 3.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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多相催化剂波动活性结构的阐明和控制:使用操作计算进行开发
- 批准号:
24K17554 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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- 批准号:
24K00741 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.41万 - 项目类别:
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开发晶格缺陷原位观察技术以阐明功率器件劣化机制
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