课题基金 / 基金详情

Electronic states and electric properties under device operation

Electronic states and electric properties under device operation
器件运行时的电子态和电特性
批准号：
23560033
负责人：
YAMASHITA Yoshiyuki
金额：
$3.41万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011-04-28 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560033/
关键词：
光電子分光オペランドその場観測高誘電体抵抗変化メモリゲートスタック構造界面準位ゲートスタック金属酸化物電子分光シリコン高誘電体膜

项目摘要

项目成果

YAMASHITA Yoshiyuki的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Determination of Schottky barrier profile at Pt/SrTiO3:Nb junction by x-ray photoemission
通过 X 射线光电发射测定 Pt/SrTiO3:Nb 结处的肖特基势垒剖面
DOI： 10.1063/1.4772628
发表时间： 2012
期刊： Appl. Phys. Lett
影响因子： --
作者： [N. Ohashi, H. Yoshikawa, Y. Yamashita, S. Ueda, J. Li, H. Okushi, K. Kobayashi and H. Haneda]
通讯作者： K. Kobayashi and H. Haneda
Direct Observation of Electronic Structures in High-k Based Devices under Device Operation
在器件运行下直接观察基于高 k 的器件中的电子结构
DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Tsushima, S. Mori, Y. Nishimura, K. Hishii, K. Kasahara, T. Yaji, H. Miyazaki, N. Ikeda, M. Ochiai, H. Oosato, and Y. Sugimoto, Yoshiyuki　Yamashita]
通讯作者： Yoshiyuki　Yamashita
デバイス動作下硬Ｘ線光電子分光法による半導体素子の界面評価
在器件运行下使用硬 X 射线光电子能谱评估半导体器件的界面
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [H. Sano, T. Shima, M. Kuwahara, Y. Fujita, M. Uchiyama, and Y. Aono, 山下良之]
通讯作者： 山下良之
Bias-voltage application in a hard x-ray photoelectron spectroscopic study of the interface states at oxide/Si(100) interface
偏置电压在氧化物/Si(100)界面界面态硬X射线光电子能谱研究中的应用
DOI： --
发表时间： 2013
期刊： J. Appl. Phys.
影响因子： --
作者： [Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Toyohiro Chikyow, and Keisuke Kobayashi]
通讯作者： and Keisuke Kobayashi
共 36 条
    Framework for a dependable process control system
    Creation of Fault-tolerant Process Control Systems
    海外基金