Electronic states and electric properties under device operation

器件运行时的电子态和电特性

基本信息

  • 批准号:
    23560033
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2011
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2011-04-28 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专著数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Determination of Schottky barrier profile at Pt/SrTiO3:Nb junction by x-ray photoemission
通过 X 射线光电发射测定 Pt/SrTiO3:Nb 结处的肖特基势垒剖面
  • DOI:
    10.1063/1.4772628
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    N. Ohashi;H. Yoshikawa;Y. Yamashita;S. Ueda;J. Li;H. Okushi;K. Kobayashi and H. Haneda
  • 通讯作者:
    K. Kobayashi and H. Haneda
Direct Observation of Electronic Structures in High-k Based Devices under Device Operation
在器件运行下直接观察基于高 k 的器件中的电子结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Tsushima;S. Mori;Y. Nishimura;K. Hishii; K. Kasahara;T. Yaji;H. Miyazaki;N. Ikeda;M. Ochiai; H. Oosato;and Y. Sugimoto;Yoshiyuki Yamashita
  • 通讯作者:
    Yoshiyuki Yamashita
デバイス動作下硬X線光電子分光法による半導体素子の界面評価
在器件运行下使用硬 X 射线光电子能谱评估半导体器件的界面
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Sano;T. Shima;M. Kuwahara;Y. Fujita;M. Uchiyama;and Y. Aono;山下良之
  • 通讯作者:
    山下良之
Bias-voltage application in a hard x-ray photoelectron spectroscopic study of the interface states at oxide/Si(100) interface
偏置电压在氧化物/Si(100)界面界面态硬X射线光电子能谱研究中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yoshiyuki Yamashita;Hideki Yoshikawa;Toyohiro Chikyow;and Keisuke Kobayashi
  • 通讯作者:
    and Keisuke Kobayashi
Photoelectron spectroscopic study on band alignment of poly(3-hexylthiophene-25-diyl)/polar-ZnO heterointerface
聚(3-己基噻吩-25-二基)/极性-ZnO异质界面能带排列的光电子能谱研究
  • DOI:
    10.1016/j.tsf.2013.08.018
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.1
  • 作者:
    T.Nagata;O. Seungjun;Y. Yamashita;H. Yoshikawa;N. IKENO;K. Kobayashi,T. Chikyo;Y. Wakayama
  • 通讯作者:
    Y. Wakayama
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  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 3.41万
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  • 资助金额:
    $ 3.41万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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