Formation of atomically flat GaAs(110) surfaces and step-edge dynamics of surface adatoms
原子级平坦的 GaAs(110) 表面的形成和表面吸附原子的阶跃边缘动力学
基本信息
- 批准号:23560359
- 负责人:
- 金额:$ 3.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2011
- 资助国家:日本
- 起止时间:2011 至 2013
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
In this work, I investigated formation mechanisms of atomically flat surfaces on GaAs(110) by growth-interruption annealing. I performed growth-interrupt anneal on the epitaxial surfaces grown, by molecular-beam epitaxy, on the cleaved (110) edges of GaAs(001) wafers. After annealing, atomically flat surfaces accompanied with characteristic-shaped monatomic-layer step edges, which depend on the crystallographic direction of the introduced thickness distribution of the epitaxial layers, were formed. The results imply that the flat-surface formation during annealing is largely influenced by crystallographic anisotropy of migration potential of adatoms on GaAs(110).In addition, I developed a waveguide-transmission spectroscopy method to be used for quantitative characterization of optical properties (emission, absorption, etc.) of the GaAs(110) quantum wells with atomically-flat hetero-interfaces formed by the growth-interrupt annealing technique, has been developed.
在这项工作中,我研究了用生长中断退火法在GaAs(110)表面形成原子平坦表面的机制。我对分子束外延生长的外延表面进行了生长中断退火热处理,这些外延表面是在GaAs(001)晶片的(110)解理边缘生长的。退火后,形成原子平整的表面,并伴随着特征形状的单原子层台阶边缘,这取决于引入的外延层厚度分布的晶体方向。结果表明,在退火热处理过程中,吸附原子在(110)面上迁移势的各向异性对表面平坦化有很大的影响。此外,我还发展了一种用于定量表征光学性质(发射、吸收等)的波导-透射谱方法。用生长中断退火法形成了具有原子平坦异质界面的GaAs(110)量子阱。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:福田圭介;ほか
- 通讯作者:ほか
Absolute strength of 1D exciton transitions in cleaved-edge-overgrown GaAs quantum wires
解理边缘过度生长的 GaAs 量子线中一维激子跃迁的绝对强度
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shaoqiang Chen;et al
- 通讯作者:et al
Applicability of continuum absorption in semiconductor quantum wells to absolute absorption-strength standards
- DOI:10.1063/1.4737900
- 发表时间:2012-07
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:M. Yoshita;K. Kamide;H. Suzuura;H. Akiyama
- 通讯作者:M. Yoshita;K. Kamide;H. Suzuura;H. Akiyama
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- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Toshimitsu Mochizuki;Masahiro Yoshita;Shun Maruyama;Changsu Kim;Keisuke Fukuda;Hidefumi Akiyama;Loren N. Pfeiffer;Ken W. West
- 通讯作者:Ken W. West
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- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Yoshita;et al
- 通讯作者:et al
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