Formation of atomically flat GaAs(110) surfaces and step-edge dynamics of surface adatoms

原子级平坦的 GaAs(110) 表面的形成和表面吸附原子的阶跃边缘动力学

基本信息

  • 批准号:
    23560359
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2011
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2011 至 2013
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

In this work, I investigated formation mechanisms of atomically flat surfaces on GaAs(110) by growth-interruption annealing. I performed growth-interrupt anneal on the epitaxial surfaces grown, by molecular-beam epitaxy, on the cleaved (110) edges of GaAs(001) wafers. After annealing, atomically flat surfaces accompanied with characteristic-shaped monatomic-layer step edges, which depend on the crystallographic direction of the introduced thickness distribution of the epitaxial layers, were formed. The results imply that the flat-surface formation during annealing is largely influenced by crystallographic anisotropy of migration potential of adatoms on GaAs(110).In addition, I developed a waveguide-transmission spectroscopy method to be used for quantitative characterization of optical properties (emission, absorption, etc.) of the GaAs(110) quantum wells with atomically-flat hetero-interfaces formed by the growth-interrupt annealing technique, has been developed.
在这项工作中,我研究了用生长中断退火法在GaAs(110)表面形成原子平坦表面的机制。我对分子束外延生长的外延表面进行了生长中断退火热处理,这些外延表面是在GaAs(001)晶片的(110)解理边缘生长的。退火后,形成原子平整的表面,并伴随着特征形状的单原子层台阶边缘,这取决于引入的外延层厚度分布的晶体方向。结果表明,在退火热处理过程中,吸附原子在(110)面上迁移势的各向异性对表面平坦化有很大的影响。此外,我还发展了一种用于定量表征光学性质(发射、吸收等)的波导-透射谱方法。用生长中断退火法形成了具有原子平坦异质界面的GaAs(110)量子阱。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    福田圭介;ほか
  • 通讯作者:
    ほか
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shaoqiang Chen;et al
  • 通讯作者:
    et al
Applicability of continuum absorption in semiconductor quantum wells to absolute absorption-strength standards
  • DOI:
    10.1063/1.4737900
  • 发表时间:
    2012-07
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    M. Yoshita;K. Kamide;H. Suzuura;H. Akiyama
  • 通讯作者:
    M. Yoshita;K. Kamide;H. Suzuura;H. Akiyama
Waveguide two-point differential-excitation method for quantitative absorption measurements of nanostructures
用于纳米结构定量吸收测量的波导两点差分激发法
  • DOI:
    10.1143/jjap.51.106601
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Toshimitsu Mochizuki;Masahiro Yoshita;Shun Maruyama;Changsu Kim;Keisuke Fukuda;Hidefumi Akiyama;Loren N. Pfeiffer;Ken W. West
  • 通讯作者:
    Ken W. West
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Yoshita;et al
  • 通讯作者:
    et al
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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    0
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    KIM Changsu;OKANO Makoto;MOCHIZUKI Toshimitsu;YOSHITA Masahiro;CHEN Shaoqiang;AKIYAMA Hidefumi;PFEIFFER Loren N.;WEST Ken W.
  • 通讯作者:
    WEST Ken W.

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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