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The fabrication of the novel semiconducting material for solar cells which does not use a rare metal

不使用稀有金属的新型太阳能电池半导体材料的制造

基本信息

批准号：
23560357
负责人：
OZAKI Shunji
金额：
$ 2.66万
依托单位：
Gunma University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011 至 2013
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560357/
关键词：
多元化合物半導体結晶成長

项目摘要

The quaternary semiconductor Cu2ZnSnSe4 and Cu2ZnSnS4 crystals were grown by the vertical Bridgman method. Optical absorption measurements indicate that both Cu2ZnSnSe4 and Cu2ZnSnS4 are direct-gap semiconductors, and having the band gap energies of 1.12 and 1.48 eV at 10 K, respectively. The thermoreflectance spectra reveal distinct structures at energies of the E0-E6 critical points (CP's). From the first-principle band-structure calculations, these CP's are assigned to specific points in the Brillouin zone.

采用垂直布里奇曼法生长了四元半导体Cu_2ZnSnSe_4和Cu_2ZnSnS_4晶体。光吸收测量表明，Cu 2 ZnSnSe 4和Cu 2 ZnSnS 4都是直接带隙半导体，并且在10 K下分别具有1.12和1.48 eV的带隙能量。的热反射光谱揭示不同的结构在E0-E6临界点（CP）的能量。从第一原理能带结构计算，这些CP的被分配到特定点的布里渊区。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Positive Temperature Variation of the Bandgap Energy in AgInS_2 Chalcopyrite Semiconductor

AgInS_2黄铜矿半导体带隙能的正温度变化

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Sameshima;T. Nagao;M. Hasumi;A. Shuku;E. Takahashi;and Y. Andoh;S. Ozaki and Y. Horikoshi
通讯作者：
S. Ozaki and Y. Horikoshi

AgInS_2半導体バンドギャップエネルギーの正の温度変化

AgInS_2 半导体带隙能量的正温度变化

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
尾崎俊二;堀越義道
通讯作者：
堀越義道

Crystal Growth and Optical Properties of Cu_2ZnSnS_4

Cu_2ZnSnS_4的晶体生长及光学性质

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Sameshima;T. Nagao;M. Hasumi;A. Shuku;E. Takahashi;and Y. Andoh;S. Ozaki and Y. Horikoshi;K. Hoshina and S. Ozaki
通讯作者：
K. Hoshina and S. Ozaki

Optical properties and electronic band structure of Cu_2ZnSnSe_4 kesterite semiconductor

Cu_2ZnSnSe_4黄锡矿半导体的光学性质和电子能带结构

DOI：
10.1002/pssc.201200203
发表时间：
2012
期刊：
Physica status solidi (c)
影响因子：
0
作者：
Tsuboi Nozomu;Tamogami Takashi;Kobayashi Satosh;T. Sameshima;S. Ozaki and T. Namba
通讯作者：
S. Ozaki and T. Namba

Crystal growth and optical properties of Cu_2SnSe_4 semiconductor

Cu_2SnSe_4半导体的晶体生长及光学性质