Fabrication of thin-film-type terahertz-wave oscillators using intrinsic Josephson junctions
使用本征约瑟夫森结制造薄膜型太赫兹波振荡器
基本信息
- 批准号:23560381
- 负责人:
- 金额:$ 3.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2011
- 资助国家:日本
- 起止时间:2011 至 2013
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
To realize thin-film-type terahertz (THz)-wave oscillators using high-temperature superconducting Bi-2212 intrinsic Josephson junctions, key technologies were developed as follows: Cerium dioxide buffer layers with a smooth surface were deposited to increase grain sizes in Bi-2212 thin films fabricated by metal-organic decomposition. A junction impedance for designing antenna-coupled oscillators was calculated from an analytical solution of the coupled sine-Gordon equation. Moreover, resonant modes in a Bi-2212 mesa were estimated from bias dependencies of the radiation power and frequency measured using a THz Fourier-transform spectrometer. These results are useful for fabricating the thin-film THz-wave oscillators for high power generation.
为了利用高温超导Bi-2212本征约瑟夫森结实现薄膜型太赫兹(THz)波振荡器,开发了以下关键技术:在金属有机分解制备的Bi-2212薄膜中沉积表面光滑的二氧化铈缓冲层,以增加晶粒尺寸。用于设计天线耦合振荡器的结阻抗是根据耦合正弦-戈登方程的解析解计算的。此外,根据使用太赫兹傅立叶变换光谱仪测量的辐射功率和频率的偏差依赖性来估计 Bi-2212 台面中的谐振模式。这些结果对于制造用于高功率发电的薄膜太赫兹波振荡器非常有用。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
100 GHz帯薄膜スパイラルアンテナの受信特性
100 GHz频段薄膜螺旋天线的接收特性
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:レー・ゴク・ソン;立木隆;内田貴司;安岡義純
- 通讯作者:安岡義純
Effects of Substrate Thickness on Receiving Properties of Thin-Film Spiral Antenna
基板厚度对薄膜螺旋天线接收性能的影响
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:L. N. Son;T. Tachiki;T. Uchida;Y. Yasuoka
- 通讯作者:Y. Yasuoka
Evaluation of Bi-2212 Intrinsic Josephson Device for Antenna-Coupled Oscillator
用于天线耦合振荡器的 Bi-2212 本征约瑟夫森器件的评估
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Uchida;H. Katada;T. Tachiki
- 通讯作者:T. Tachiki
Bi-2212固有ジョセフソン接合からのテラヘルツ波放射の観測
Bi-2212 本征约瑟夫森结太赫兹辐射的观测
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:堅田寛;立木隆;内田貴司
- 通讯作者:内田貴司
Fabrication of 20-nm-thick Niobium thin films for novel planer Josephson junctions
用于新型平面约瑟夫森结的 20 nm 厚铌薄膜的制造
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Horiguchi;T. Tachiki;T. Uchida
- 通讯作者:T. Uchida
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