Pursuit of the performance limit of organic FETs by fabricating ideal MIS interfaces

通过制造理想的 MIS 接口来追求有机 FET 的性能极限

基本信息

  • 批准号:
    23655171
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2011
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2011 至 2013
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Aiming at producing an ideal MIS interfaces by an organic semiconductor layer and a flat gate insulator with an atom scale, a technique of forming a 1 micrometer or less-thick mica insulating layer on a conductive substrate has been established. Unlike the poor reproducibility of molecular orientation in conventional experiments, it has been shown that the thin-film-phase polycrystalline film with vertical molecular orientation, which is suitable for carrier transport, epitaxially grows by treating the cleaved mica surface with sodium persulfate aqueous solution. New analytical models for carrier mobility that can be used generally in such polycrystalline films have been proposed. By these models, influence of the epitaxial growth on the carrier transport was discussed.
为了通过有机半导体层和原子级的平坦栅极绝缘体产生理想的MIS界面,已经建立了在导电基板上形成1微米或更厚的云母绝缘层的技术。与传统实验中分子取向的再现性较差不同,通过用过硫酸钠水溶液处理解理云母表面,可以外延生长适合载流子传输的具有垂直分子取向的薄膜相多晶薄膜。已经提出了可普遍用于此类多晶薄膜的载流子迁移率的新分析模型。通过这些模型,讨论了外延生长对载流子传输的影响。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
有機固体素子科学研究室 研究の具体例
有机固态器件科学实验室-具体研究实例
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Analysis of mobility limiting factors in epitaxially grown pentacene polycrystalline films on atomically flat mica surface
原子级平坦云母表面外延生长并五苯多晶薄膜迁移率限制因素分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    R. Matsubara;S. Ochiai;N. Ohashi;S. Nakamura;and M. Nakamura
  • 通讯作者:
    and M. Nakamura
Preparation of organic thin film transistor with ideally flat semiconductor/insulator interface using cleaved mica surface
利用劈裂云母表面制备具有理想平坦半导体/绝缘体界面的有机薄膜晶体管
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Ochiai;S. Nakamura;R. Matsubara;and M. Nakamura
  • 通讯作者:
    and M. Nakamura
新規多結晶モデルによる有機薄膜トランジスタにおける温度依存キャリア移動度の解析
使用新的多晶模型分析有机薄膜晶体管中与温度相关的载流子迁移率
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中村峻介;松原亮介;中村雅一
  • 通讯作者:
    中村雅一
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  • 期刊:
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  • 作者:
    NAKAMURA Masakazu;ARANAMI Toshimasa;MIYAKE Sachiko;YAMAMURA Takashi
  • 通讯作者:
    YAMAMURA Takashi

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