走査型カー回転分光によるシリコン中の空間電荷効果の検出

通过扫描克尔旋转光谱检测硅中的空间电荷效应

基本信息

  • 批准号:
    11F01358
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2011
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2011 至 2013
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究の目的は、走査型カー回転分光とスピン注入を用いてシリコン中の空間電荷効果(電子密度・電場の不均一性)を検出し、シリコンで空間電荷によって誘起される大きな磁気抵抗効果のメカニズムを明らかにすることにある。平成23年度(1年目)の計画の引き続きでシリコンデバイスの作製を行いつつ、空間電荷効果と磁気抵抗効果の評価を行い、実験を確立する。そして、今年度(2年目)から三端子のシリコンデバイスを作製し、シリコンデバイスへのスピン注入と検出の実験を行う予定だったが、p型シリコンで低磁場において大きな磁気抵抗効果が発現することを発見したため、この新発見の起源とメカニズムを明らかにするために今年度の実験を進めてきた。p型シリコンは、高抵抗でキャリア密度が約2×10^<12>cm^<-3>)であり、インジウム電極とオーミックコンタクトを作製して高電圧を印加すると、p型シリコンに電子注入が可能になる。その伝導領域は空間電効果が支配的であり、磁気抵抗効果を測定すると、低磁場(250millitesla以下)でもp型シリコンは磁気抵抗が約80%にもなり、しかも磁場の変化に対して磁気抵抗がリニアに変化することがわかった。その大きな磁気抵抗効果は、メカニズムが磁場による電子・ホールキャリア密度比制御であり、p型シリコン中に注入した電子の拡散は磁場の印加によって抑制されるとわかった。このメカニズムはこの研究で初めて明らかになった[1]。さらに、この磁気抵抗かは、スピンデバイスの巨大磁気抵抗効果(GMR)と匹敵する大きさで、低磁場センサーへの応用に期待を集めている。
In this study, the purpose of this study is to determine the effect of air load (heterogeneity of electron density field) on air load (electron density field heterogeneity). In this study, the purpose of this study is to determine the effect of air load (heterogeneity of electron density field) on the emission of air load (electron density field heterogeneity). In the year of Pingcheng 23 (1 year), the plan will lead to the operation of the equipment, the magnetic resistance of the space charge, the operation and the establishment of the vehicle. This year (2 years), this year (2 years). The source of the news is that you will be informed that there will be an improvement in the current year. The density of p-type microwave is about 2 × 10 ^ & lt;12> cm ^ & lt;-3>) the density is about 2 × 10 ^, and the density is about 2 × 10 ^ & CMM ^ & CDR.) the density is about 2 × 10 ^ & type CMG.) the density is about 2 × 10 ^ & cmcm^ & CDR. In the field of control, the radar, magnetic resistance, low magnetic field (below 250millitesla), low magnetic field, low magnetic field, low magnetic field, Due to the high frequency of magnetic resistance, the density ratio of the magnetic field, the density ratio of the magnetic field This is the first step in the study of the situation. Low magnetic field, low magnetic field and low magnetic field.

项目成果

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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Bipolar-driven large magnetoresistance in silicon
双极驱动硅大磁阻
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Delmo;Michael Picazo
  • 通讯作者:
    Michael Picazo
Magnetoresistance effect in electron-space-charge-injected p-type silicon
电子空间电荷注入p型硅中的磁阻效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Delmo;Michael Picazo
  • 通讯作者:
    Michael Picazo
Magnetoresistance effect in electron-injected p-type silicon
电子注入p型硅中的磁阻效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Delmo;Michael Picazo
  • 通讯作者:
    Michael Picazo
p型シリコンにおける大きな磁気抵抗効果
p型硅中的大磁阻效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H.Fang;Y.Takaya;S.Ohuchi;H.Miyake;K.Hiramatsu;H.Asamura;K.Kawamura;デルモ マイケル
  • 通讯作者:
    デルモ マイケル
Bipolar-driven large linear magnetoresistance in silicon at low magnetic fields
  • DOI:
    10.1103/physrevb.87.245301
  • 发表时间:
    2013-06-03
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    Delmo, Michael P.;Shikoh, Eiji;Shiraishi, Masashi
  • 通讯作者:
    Shiraishi, Masashi
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