分子に内在するスピンと注入スピンとの相互作用
分子固有自旋与注入自旋之间的相互作用
基本信息
- 批准号:20656004
- 负责人:
- 金额:$ 1.98万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2008
- 资助国家:日本
- 起止时间:2008 至 2009
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
初年度には分子中に孤立スピンを内包し、さらにそのスピン状態がフェルミ準位近傍にあるCuPc分子を用いたナノコンポジットスピン素子(CuPc分子膜中にCoナノ粒子が均一に分散された)を作製してその磁気抵抗効果の発現を確認したが、2年目の本年度は磁気抵抗効果発現の起源、及びCuPc分子の孤立スピンと伝導電子スピンその相互作用について詳細に検討を行った。磁気抵抗効果はCo粒子を介した高次のco-tunnelingスピン伝導によって引き起こされることが解明された一方、CuPcの孤立スピンと伝導スピンには顕著な(近藤効果的な)スピン=スピン相互作用は存在しないことがESR測定、微分コンダクタンス測定から明らかとなった。さらに詳細なESR信号の解析から、Co粒子の出す局所磁場によってCuPcの孤立スピンは大きく変調されることで新たなスピン状態を形成していること、そのためにスピン=スピン相互作用が発現しないことを明らかにした。上記の結果をJapanese Journal of Applied Physics誌に投稿しacceptされた(2010年4月掲載予定)ほか、応用物理学会にて講演を行った。
In the first year, the molecule was isolated and the state of the molecule was close to it. The occurrence of magnetic field resistance effect in CuPc molecular film was confirmed, and the origin of magnetic field resistance effect in CuPc molecular film was discussed in detail. The magnetic field resistance of Co particles is determined by the co-tunneling method, and the differential co-tunneling method is determined by the ESR method. The analysis of ESR signals and the occurrence of Co particles in the local magnetic field The results of the above report were submitted to the Japanese Journal of Applied Physics (published in April 2010) and presented to the Society for Applied Physics.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Investigation of spin-dependent transport properties and spin-spin interactions in a CuPc-Co nano-composite system
CuPc-Co 纳米复合材料系统中自旋相关输运特性和自旋-自旋相互作用的研究
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Z.Tang;M.Shiraishi;et al
- 通讯作者:et al
Magnetoresistance effects in CuPc-Co nano-composites
CuPc-Co纳米复合材料的磁阻效应
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:唐振尭;白石誠司ほか
- 通讯作者:白石誠司ほか
{{
                item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:{{ item.doi }} 
- 发表时间:{{ item.publish_year }} 
- 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:{{ item.authors }} 
- 通讯作者:{{ item.author }} 
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.author }} 
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.author }} 
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.author }} 
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.author }} 
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
              item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:{{ item.doi }} 
- 发表时间:{{ item.publish_year }} 
- 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:{{ item.authors }} 
- 通讯作者:{{ item.author }} 
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- 资助金额:$ 1.98万 
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