Characterization and Application of Thin-Film PZT/PZT Bimorph

薄膜 PZT/PZT 双压电晶片的表征及应用

• 批准号: 23760233
• 负责人: KANDA Kensuke
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: University of Hyogo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23760233/
• 关键词: マイクロ; ナノメカトロニクス; 圧電薄膜; MEMS; PZT; バイモルフ; アクチュエータ; センサ

Double layer Pb[Zr,Ti]O_3(PZT, Lead Zirconate Titanate) thin films was realized for MEMS applications. The total thickness of the bimorph PZT/PZT structure is 5.4 μm, which is much thicker conventionally reported ones (typically 1 μm). In addition, the electric and piezoelectric characteristics for top and bottom PZT layers were consistent with each other. By fabricating MEMS mirror with four PZT/PZT bimorph beams, the applicability of the PZT/PZT bimorph to MEMS fabrication process was confirmed. The bimorph beams doubled the deflection of the MEMS mirror compared with unimorph actuations.These results demonstrate that the PZT/PZT bimorph is effective to MEMS actuators.

制备了适用于MEMS的双层PZT(PZT)薄膜。PZT/PZT双晶片结构的总厚度为5.4μm，比传统报道的结构厚得多(通常为1μm)。另外，上下两层PZT的电学和压电性基本一致。用四根PZT/PZT双晶片梁制作了MEMS反射镜，验证了PZT/PZT双晶片在MEMS制作工艺中的适用性。与单压片驱动器相比，双压片梁使MEMS反射镜的挠度增加了一倍，证明了PZT/PZT双晶片对MEMS驱动器是有效的。

项目成果

Fabrication and Evaluation of Bimorph Comprising of Double Pb[Zr,Ti]O3 Thick Films

双Pb[Zr,Ti]O3厚膜双晶的制备与评价

• 发表时间: 2013
• 作者: D. Koyama;R. Isago and K. Nakamura;K. Kanda
• 通讯作者: K. Kanda

MEMSデバイス向け厚膜PZT/PZTバイモルフ構造

用于 MEMS 器件的厚膜 PZT/PZT 双压电晶片结构

• 发表时间: 2013
• 作者: 神田健介

P(VDF/TrFE)薄膜を用いた柔軟な心拍・呼吸センサ

使用 P(VDF/TrFE) 薄膜的柔性心率/呼吸传感器

• 发表时间: 2011
• 作者: D. Misaki,S. Nakajima;R. Kurokawa,S. Koshimizu;神田健介，明石優，藤田孝之，前中一介;Ryuhei Kurokawa;齋藤誉司,神田健介,伊賀友樹,樋口行平,前中一介;塩野祥平,濱田浩幸,蒋永剛,樋口行平,神田健介,藤田孝之,前中一介
• 通讯作者: 塩野祥平,濱田浩幸,蒋永剛,樋口行平,神田健介,藤田孝之,前中一介

PZT の微細加工とセンサへの応用

PZT微加工及传感器应用

• 发表时间: 2013
• 作者: J. Inoue;K. Kanda;T. Fujita;K. Maenaka;小山大介，井砂亮一，中村健太郎;井上純一,神田健介,藤田孝之,前中一介;小山大介，井砂亮一，中村健太郎;神田健介
• 通讯作者: 神田健介

PZTの微細加工とセンサへの応用

PZT微加工及传感器应用

• 发表时间: 2013
• 作者: D. Koyama;R. Isago and K. Nakamura;K. Kanda;神田健介
• 通讯作者: 神田健介