Investigation of new-domain-structure-induced functionalities in BiFeO_3 thin films.
Investigation of new-domain-structure-induced functionalities in BiFeO_3 thin films.
BiFeO_3 薄膜中新域结构诱导功能的研究。
批准号：
23760290
负责人：
NAKASHIMA Seiji
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 2012
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英文摘要
In this study, we focused on BiFeO_3with giant c/a ratio which is attracted much attention because of its giant remanent polarization of ~150 μC/cm2predicted by first-principles calculation. Rhombohedral BFO, giant c/aBFO and their mixed phase thin films have been prepared. The giant c/a BFO can be obtained on SrRuO_3/SrTiO_3substrate, and 80odomain can be observed by TEM. The high quality giant c/aBFO films can be obtained on LaAlO_3(001) substrate, and photovoltaic effect have been confirmed.
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Preparation and Characterization of High Quality Lead-free BiFeO3 Thin Films by Sputtering Process
溅射工艺制备高质量无铅 BiFeO3 薄膜及表征
溅射工艺制备高质量无铅 BiFeO3 薄膜及表征
DOI：
10.1109/icetet.2012.12
发表时间：
2012
期刊：
IEEE Proceedings of 2012 Fifth International Conference on Emerging Trends in Engineering and Technology (ICETET)
影响因子：
--
作者：
[N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Matsushima, K. Oshikawa, Seiji Nakashima]
通讯作者：
Seiji Nakashima
FMを用いた強誘電体薄膜の面内および鉛直方向の圧電性評価
使用 FM 评估铁电薄膜的面内和垂直压电性
使用 FM 评估铁电薄膜的面内和垂直压电性
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Matsushima, K. Oshikawa, H. Matsui, 瀬戸 翔太]
通讯作者：
瀬戸 翔太
Low Pressure Growth and Fully Saturated Hysteresis Loops of Epitaxial BiFeO3 Thin Films Prepared by Dual Ion Beam Sputtering
双离子束溅射外延 BiFeO3 薄膜的低压生长和完全饱和磁滞回线
双离子束溅射外延 BiFeO3 薄膜的低压生长和完全饱和磁滞回线
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[J. Tatebayashi, Y. Ota, S. Ishida, M. Nishioka, S. Iwamoto and Y. Arakawa, Seiji Nakashima]
通讯作者：
Seiji Nakashima
Preparation of BiFeO_3Thin Films on SrRuO_3/SrTiO_3(001) Substrate by Dual Ion Beam Sputtering
双离子束溅射在SrRuO_3/SrTiO_3(001)基片上制备BiFeO_3薄膜
双离子束溅射在SrRuO_3/SrTiO_3(001)基片上制备BiFeO_3薄膜
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子：
--
作者：
[S. Nakashima, H. Fujisawa, H. Suminaga, J. M. Park, H. Nishioka, M. Kobune, T. Kanashima, M. Okuyama, and M Shimizu]
通讯作者：
and M Shimizu
RFプレーナマグネトロンスパッタ法を用いたエピタキシャルBiFeO3薄膜の作製
射频平面磁控溅射法制备外延BiFeO3薄膜
射频平面磁控溅射法制备外延BiFeO3薄膜
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[前川亮介, 冨田知大, 仙波伸也, 西村謙佑、浅田裕法，岸本堅剛，小柳剛, 高田 祐介]
通讯作者：
高田 祐介
共 29 条
Preparation and characterization of high quality bismuth ferrite based thin films-for improvement of piezoelectric and insulating properties-
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批准号：21860069
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项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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资助金额：$1.71万
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财政年份：2009
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负责人：NAKASHIMA Seiji
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依托单位：
海外基金