Investigation of new-domain-structure-induced functionalities in BiFeO_3 thin films.

BiFeO_3 薄膜中新域结构诱导功能的研究。

• 批准号: 23760290
• 负责人: NAKASHIMA Seiji
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: University of Hyogo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23760290/
• 关键词: マルチフェロイック; 強誘電性; ドメイン構造; ビスマスフェライト; 薄膜; BiFeO3; スパッタリング; イオンビームスパッタ; 高周波スパッタ

In this study, we focused on BiFeO_3with giant c/a ratio which is attracted much attention because of its giant remanent polarization of ~150 μC/cm2predicted by first-principles calculation. Rhombohedral BFO, giant c/aBFO and their mixed phase thin films have been prepared. The giant c/a BFO can be obtained on SrRuO_3/SrTiO_3substrate, and 80odomain can be observed by TEM. The high quality giant c/aBFO films can be obtained on LaAlO_3(001) substrate, and photovoltaic effect have been confirmed.

在本研究中，我们重点研究了具有巨大c/a比的bifeo_3，这是由于第一性原理计算预测到的~150 μC/cm2的巨大剩余极化而备受关注的。制备了菱面体BFO、巨型c/aBFO及其混合相薄膜。在SrRuO_3/SrTiO_3substrate上获得了巨大的c/a BFO， TEM观察到800 domain。在LaAlO_3（001）衬底上制备了高质量的巨型c/aBFO薄膜，并证实了光电效应。

项目成果

Preparation and Characterization of High Quality Lead-free BiFeO3 Thin Films by Sputtering Process

溅射工艺制备高质量无铅 BiFeO3 薄膜及表征

• DOI: 10.1109/icetet.2012.12
• 发表时间: 2012
• 期刊: IEEE Proceedings of 2012 Fifth International Conference on Emerging Trends in Engineering and Technology (ICETET)
• 作者: N. Itagaki;K. Kuwahara;K. Matsushima;K. Oshikawa;Seiji Nakashima
• 通讯作者: Seiji Nakashima

FMを用いた強誘電体薄膜の面内および鉛直方向の圧電性評価

使用 FM 评估铁电薄膜的面内和垂直压电性

• 发表时间: 2013
• 作者: N. Itagaki;K. Kuwahara;K. Matsushima;K. Oshikawa;H. Matsui;瀬戸 翔太
• 通讯作者: 瀬戸 翔太

Low Pressure Growth and Fully Saturated Hysteresis Loops of Epitaxial BiFeO3 Thin Films Prepared by Dual Ion Beam Sputtering

双离子束溅射外延 BiFeO3 薄膜的低压生长和完全饱和磁滞回线

• 发表时间: 2011
• 作者: J. Tatebayashi;Y. Ota;S. Ishida;M. Nishioka;S. Iwamoto and Y. Arakawa;Seiji Nakashima
• 通讯作者: Seiji Nakashima

Preparation of BiFeO_3Thin Films on SrRuO_3/SrTiO_3(001) Substrate by Dual Ion Beam Sputtering

双离子束溅射在SrRuO_3/SrTiO_3(001)基片上制备BiFeO_3薄膜

• 发表时间: 2011
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys.
• 作者: S. Nakashima;H. Fujisawa;H. Suminaga;J. M. Park;H. Nishioka;M. Kobune;T. Kanashima;M. Okuyama;and M Shimizu
• 通讯作者: and M Shimizu

RFプレーナマグネトロンスパッタ法を用いたエピタキシャルBiFeO3薄膜の作製

射频平面磁控溅射法制备外延BiFeO3薄膜

• 发表时间: 2012
• 作者: 前川亮介;冨田知大;仙波伸也;西村謙佑、浅田裕法，岸本堅剛，小柳剛;高田 祐介
• 通讯作者: 高田 祐介