Preparation and characterization of high quality bismuth ferrite based thin films-for improvement of piezoelectric and insulating properties-
高质量铁氧体铋基薄膜的制备和表征-用于改善压电和绝缘性能-
基本信息
- 批准号:21860069
- 负责人:
- 金额:$ 1.71万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份:2009
- 资助国家:日本
- 起止时间:2009 至 2010
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Inverse piezoelectric properties of BiFeO_3 (BFO) thin films have been precisely investigated by in-situ observation of crystal structural deformation under an electric field. Moreover, ion beam sputtering process has been employed for high quality BFO thin film deposition for the first time, and ferroelectric hysteresis loops have been successfully obtained at RT. Furthermore, large c/a ratio BFO phase which is expected excellent ferroelectric properties by the first-principle calculation has also obtained.
通过对BiFeO_3(BFO)薄膜在电场作用下晶体结构变形的原位观察,精确地研究了BFO薄膜的逆压电特性。此外,离子束溅射工艺已被用于高品质的BFO薄膜沉积的第一次,并已成功地获得了铁电滞回线在RT。此外,大的c/a比的BFO相,这是预期的优良的铁电性能的第一性原理计算也得到了。
项目成果
期刊论文数量(22)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Characterization of epitaxial BiFeO3 thin films prepared by ion beam sputtering
- DOI:10.1016/j.cap.2010.11.066
- 发表时间:2011-05
- 期刊:
- 影响因子:2.4
- 作者:S. Nakashima;Y. Tsujita;H. Fujisawa;J. Park;T. Kanashima;M. Okuyama;M. Shimizu
- 通讯作者:S. Nakashima;Y. Tsujita;H. Fujisawa;J. Park;T. Kanashima;M. Okuyama;M. Shimizu
X-ray Diffraction Study of Electric-field-induced Strains in Polycrystalline BiFeO_<3> Thin Films at Low Temperature Using Synchrotron Radiation
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- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S.Nakashima;H.Fujisawa;et al.
- 通讯作者:et al.
BiFeO_3薄膜におけるリーク電流の面内マッピング
BiFeO_3 薄膜漏电流的面内测绘
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S.K.Sahari;H.Murakami;T.Fujioka;T.Bando;A.Ohta;K.Makihara;S.Higashi;S.Miyazaki;中嶋誠二
- 通讯作者:中嶋誠二
Leakage Current Paths in Polycrystalline BiFeO_3 Thin Films Observed by SPM
SPM观察多晶BiFeO_3薄膜中的漏电流路径
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K.Iwashita;Z.S.Wu;T.Hashimoto;福井孝太郎,草野世大,鈴木悠人,迎田美和,高西淳夫,誉田雅彰;式王美子;Y.Sakurai;中嶋誠二
- 通讯作者:中嶋誠二
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