Single Photon Detection by Nanowire Phototransistor Formed byColumnar Quantum Dot

柱状量子点纳米线光电晶体管的单光子探测

• 批准号: 23760294
• 负责人: OHMORI Masato
• 金额: $ 1.91万
• 依托单位: Toyota Technological Institute
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23760294/
• 关键词: 薄膜・量子構造・コラムナ量子ドット; 単一光子検出器; 量子ドット; ナノ細線; MBE; 光検出器; コラムナ量子ドット

Single photon detectors have been fabricated using semiconductor nanostructures, especially quantum dot (QD) and nanowire structures. The nanowire structure was formed by stacking the QD layers with thin spacer layers. The diameter of the nanowire was approximately 20 nm, while the height can be controlled by varying the number of layers and the thickness, up to about 100 nm. From I-V measurement of the diode structure which includes the nanowire, it was found that the nanowire act as the current transport channel. Using this nanowire current channel, the phototransistor structure was also fabricated and the optical and structural properties were studied.

单光子探测器已经使用半导体纳米结构，特别是量子点（QD）和纳米线结构制造。纳米线结构通过将QD层与薄间隔层堆叠而形成。纳米线的直径约为20 nm，而高度可以通过改变层数和厚度来控制，最高可达约100 nm。通过对包含纳米线的二极管结构的I-V测量，发现纳米线充当电流传输通道。利用这种纳米线电流沟道，还制备了光电晶体管结构，并研究了其光学和结构特性。

项目成果

Structural and Transport Properties of InAs/AlGaAs Columnar Quantum Dots

InAs/AlGaAs柱状量子点的结构和输运性质

• 发表时间: 2012
• 作者: M. Ohmori;P. Vitushinskiy;and H. Sakaki
• 通讯作者: and H. Sakaki

自己形成量子ドットの形成法と光検出素子応用

自形成量子点的形成方法及其在光电探测元件中的应用

• 发表时间: 2011
• 作者: 大森雅登;川津琢也;野田武司;榊裕之
• 通讯作者: 榊裕之

Structural and TransportProperties of InAs/AlGaAs Columnar Quantum Dots

InAs/AlGaAs柱状量子点的结构和输运性质

• 发表时间: 2012
• 作者: M. Ohmori;P. Vitushinskiy;and H. Sakaki
• 通讯作者: and H. Sakaki

ナノ細線フォトトランジスタの形成と光検出特性の評価

纳米线光电晶体管的形成和光电检测特性的评估

• 发表时间: 2011
• 作者: 内田智久;高田祐介;中嶋誠二;藤沢浩訓;小舟正文;坂田修身;勝矢良雄;清水勝;小林由幸,大森雅登,Vitushinskiy Pavel,榊裕之
• 通讯作者: 小林由幸,大森雅登,Vitushinskiy Pavel,榊裕之

InAs/AlGaAsコラム状量子ドットを用いたナノ細線の形成と評価

使用 InAs/AlGaAs 柱状量子点形成和评估纳米线

• 发表时间: 2012
• 作者: 大森雅登;Pavel Vitushinskiy;榊裕之
• 通讯作者: 榊裕之