Growth and characterization of semiconductor nanowire structures formed by closely stacked self-assembled quantum dots
Growth and characterization of semiconductor nanowire structures formed by closely stacked self-assembled quantum dots
紧密堆叠的自组装量子点形成的半导体纳米线结构的生长和表征
批准号：
25870885
负责人：
OHMORI Masato
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2015-03-31
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量子ドット構造を用いた三角障壁フォトダイオードの光検出特性
采用量子点结构的三角形势垒光电二极管的光电探测特性
采用量子点结构的三角形势垒光电二极管的光电探测特性
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中村翔, 大森雅登, Vitushinskiy Pavel, 榊裕之]
通讯作者：
榊裕之
InAs/AlGaAs量子ロッド構造の電流電圧特性
InAs/AlGaAs量子棒结构的电流-电压特性
InAs/AlGaAs量子棒结构的电流-电压特性
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[小嶋友也, 大森雅登, Vitushinskiy Pavel, 榊裕之]
通讯作者：
榊裕之
Triangular-barrier quantum rod photodiodes : Their fabrication and detector characteristics
三角势垒量子棒光电二极管：其制造和探测器特性
三角势垒量子棒光电二极管：其制造和探测器特性
DOI：
10.1063/1.4867242
发表时间：
2014
期刊：
Appl. Phys. Lett
影响因子：
--
作者：
[M. Ohmori, Y. Kobayashi, P. Vitushinskiy, S. Nakamura, T. Kojima, H. Sakaki]
通讯作者：
H. Sakaki
Transport of Electrons in Self-assembled GaInAs Quantum Rod Structures
自组装 GaInAs 量子棒结构中的电子传输
自组装 GaInAs 量子棒结构中的电子传输
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Kojima, M. Ohmori, P. Vitushinskiy, H. Sakaki]
通讯作者：
H. Sakaki
Formation of InAs/AlGaAs/GaAs nanowire structures by self-organized rod growth on InAs quantum dots and their transport properties
InAs量子点自组织棒生长形成InAs/AlGaAs/GaAs纳米线结构及其输运特性
InAs量子点自组织棒生长形成InAs/AlGaAs/GaAs纳米线结构及其输运特性
DOI：
10.7567/apex.6.045003
发表时间：
2013
期刊：
Express
影响因子：
--
作者：
[M. Ohmori, P. Vitushinskiy, T. Kojima, H. Sakaki, Appl. Phys]
通讯作者：
Appl. Phys
共 6 条
Single Photon Detection by Nanowire Phototransistor Formed byColumnar Quantum Dot
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批准号：23760294
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$1.91万
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财政年份：2011
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负责人：OHMORI Masato
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依托单位：
海外基金