Growth and characterization of semiconductor nanowire structures formed by closely stacked self-assembled quantum dots

紧密堆叠的自组装量子点形成的半导体纳米线结构的生长和表征

基本信息

  • 批准号:
    25870885
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
量子ドット構造を用いた三角障壁フォトダイオードの光検出特性
采用量子点结构的三角形势垒光电二极管的光电探测特性
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中村翔;大森雅登;Vitushinskiy Pavel;榊裕之
  • 通讯作者:
    榊裕之
InAs/AlGaAs量子ロッド構造の電流電圧特性
InAs/AlGaAs量子棒结构的电流-电压特性
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小嶋友也;大森雅登;Vitushinskiy Pavel;榊裕之
  • 通讯作者:
    榊裕之
Triangular-barrier quantum rod photodiodes : Their fabrication and detector characteristics
三角势垒量子棒光电二极管:其制造和探测器特性
  • DOI:
    10.1063/1.4867242
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Ohmori;Y. Kobayashi;P. Vitushinskiy;S. Nakamura;T. Kojima;H. Sakaki
  • 通讯作者:
    H. Sakaki
Transport of Electrons in Self-assembled GaInAs Quantum Rod Structures
自组装 GaInAs 量子棒结构中的电子传输
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Kojima;M. Ohmori;P. Vitushinskiy;H. Sakaki
  • 通讯作者:
    H. Sakaki
Formation of InAs/AlGaAs/GaAs nanowire structures by self-organized rod growth on InAs quantum dots and their transport properties
InAs量子点自组织棒生长形成InAs/AlGaAs/GaAs纳米线结构及其输运特性
  • DOI:
    10.7567/apex.6.045003
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Ohmori;P. Vitushinskiy;T. Kojima;H. Sakaki;Appl. Phys
  • 通讯作者:
    Appl. Phys
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

OHMORI Masato其他文献

OHMORI Masato的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('OHMORI Masato', 18)}}的其他基金

Single Photon Detection by Nanowire Phototransistor Formed byColumnar Quantum Dot
柱状量子点纳米线光电晶体管的单光子探测
  • 批准号:
    23760294
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

相似海外基金

二ホウ化マグネシウムを用いた超伝導ナノ細線クライオトロンの開発
使用二硼化镁开发超导纳米线低温管
  • 批准号:
    24K07602
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
マイクロ・ナノ細線の高強度接合法の確立と長尺ウイスカの実現
微纳米线高强度键合方法的建立及长晶须的实现
  • 批准号:
    23K22621
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
金属ナノ細線の量子化熱輸送特性の計測
金属纳米线量化热传输特性的测量
  • 批准号:
    23K17903
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
表面ポテンシャル変調を考慮した半導体ナノ細線の弾性歪み誘起電気伝導特性の解明
考虑表面电位调制的半导体纳米线弹性应变诱导的导电特性的阐明
  • 批准号:
    21H01212
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
半導体ナノ細線と超伝導体接合試料における電子輸送特性
半导体纳米线和超导体键合样品中的电子传输特性
  • 批准号:
    19J13867
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ナノ細線中におけるマヨラナ粒子とそのデバイス応用
纳米线中的马约拉纳粒子及其器件应用
  • 批准号:
    14F04330
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
小角粒界転位を用いたナノ細線構造の制御と機能発現
利用小角度晶界位错控制纳米线结构和功能表达
  • 批准号:
    12J06822
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
薄膜中転位を制御・利用したナノ細線デバイスの創成および機能評価
通过控制和利用薄膜中的位错来创建和功能评估纳米线器件
  • 批准号:
    06J11666
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
MBE選択成長法による高密度GaAs量子ナノ細線ネットワークの形成と評価
采用 MBE 选择性生长方法形成和评估高密度 GaAs 量子纳米线网络
  • 批准号:
    05J50022
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
フラーレン単結晶ナノ細線及びその誘導体の形成と物性評価
富勒烯单晶纳米线及其衍生物的形成及物性评价
  • 批准号:
    15651063
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了