Crystal growth and electronic structures of fullerene / GaAs heterostructures

富勒烯/砷化镓异质结构的晶体生长和电子结构

• 批准号: 23760293
• 负责人: NISHINAGA Jiro
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Waseda University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23760293/
• 关键词: 有機・無機半導体ヘテロ界面; フラーレン; GaAs; MBE; 有機・無機ヘテロ界面; 量子ドット; 電子トラップ; 有機半導体; 化合物半導体; 結晶成長; 太陽電池

Fullerene C_<60> molecules crystallize into a fcc structure on crystalline substrates. However, C_<60> crystals are very fragile and chemically unstable due to the weak binding energy, and it is very difficult to apply C_<60> crystals to practical devices. The motivation of this research is to fabricate C60 / III-V compound semiconductors heterostructures by using molecular beam epitaxy (MBE) which is the most used technique for the analysis of epitaxial growth process. We have concentrated on the study of characteristics of C_<60> epitaxial growth on GaAs substrates and the development of new devices using C_<60> molecules in GaAs lattices such as infrared detectors and memory devices.

富勒烯C&lt；60&gt；分子在晶体衬底上结晶成面心立方结构。然而，由于C&lt；60&gt；晶体的结合能很弱，化学不稳定，非常脆弱，很难将其应用于实际器件。本研究的目的是利用分子束外延技术(MBE)制备C60/III-V化合物半导体异质结，MBE是分析外延生长过程最常用的技术。我们主要研究了在GaAs衬底上C_(60)外延生长的特性，以及利用GaAs晶格中的C_(60)分子研制新的器件，如红外探测器和存储器件。

项目成果

Electrical characteristics of C60, Si codoped GaAs layers grown by MEE

MEE 生长的 C60、Si 共掺杂 GaAs 层的电学特性

• 发表时间: 2012
• 作者: 中嶋誠二,辻田陽介,瀬戸翔太;藤沢浩訓,小舟正文,清水勝,朴正敏,金島岳,奥山雅則;山崎浩司;西永慈郎;中嶋 誠二;Seiji Nakashima;西永慈郎
• 通讯作者: 西永慈郎

Growth and characterization of C60/GaAs interfaces and C60 doped GaAs

C60/GaAs 界面和 C60 掺杂 GaAs 的生长和表征

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.11.068
• 发表时间: 2011
• 期刊: J.Cryst.Growth
• 作者: J.Nishinaga;Y.Horikoshi
• 通讯作者: Y.Horikoshi

Molecular Beam Epitaxy

分子束外延

• DOI: 10.1016/b978-0-12-387839-7.00007-5
• 发表时间: 2013
• 作者: Batool Z

Effect of excitons on the absorption in the solar-cell with AlGaAs/GaAs superlattice grown by molecular beam epitaxy

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.12.051
• 发表时间: 2011-05
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: A. Kawaharazuka;K. Onomitsu;J. Nishinaga;Y. Horikoshi

フラーレン添加GaAs pinダイオードの電気的特性

富勒烯掺杂GaAs pin二极管的电特性

• 发表时间: 2013
• 作者: J. Nishinaga;Seiji Nakashima;西永慈郎
• 通讯作者: 西永慈郎