Enhancement of critical current density using assit pinning centers in high-Tc superconducting thin films with 1D pinning centers

在具有一维钉扎中心的高温超导薄膜中使用辅助钉扎中心增强临界电流密度

• 批准号: 23760288
• 负责人: SUEYOSHI Tetsuro
• 金额: $ 2.25万
• 依托单位: Kumamoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23760288/
• 关键词: 高温超伝導体; 臨界電流密度; ハイブリッド磁束ピンニング; 重イオン照射; 擬似多層膜; 1次元ピン; 3次元ピン; 高臨界電流密度; スプレイ効果; 異方性改善; 超伝導材料・素子; ナノ構造制御; 低消費電力・高エネルギー密度

BaZrO3/YBa2Cu3Oy quasi-multilayered films, in which the size and the spatial dirstribution of BaZrO3 nano-particles were controlled, were irradiated using 200 MeV Xe ions along the c-axis direction. When the BaZrO3 nano-particles were larger in size, the flux lines not captured by CDs, such as interstitial flux lines between CDs and double kinks of flux lines, can be pinned more effectively by the BaZrO3 nano-particles, so that the Jc enhances for high magnetic fields and high temperature. In addition, the inverse correlation between Jc and n-value appears at high temperature in increasing magnetic field for the film with correlated rows of the nano-particles which might be curved off the c-axis. These suggest that the hybrid flux pinning depends not only on the combination of one-dimensional (1D) and three-dimensional pinning centers (3D-PCs) but also on the size and the spatial distribution of the 3D-PCs.

采用200 MeV的正离子沿着c轴方向辐照BaZrO_3/YBa_2Cu_3 O_y准多层膜，控制BaZrO_3纳米颗粒的尺寸和空间方向。当BaZrO 3纳米颗粒的尺寸较大时，未被CD捕获的磁通线，如CD之间的间隙磁通线和双扭结磁通线，可以被BaZrO 3纳米颗粒更有效地钉扎，从而在高磁场和高温下提高Jc。此外，Jc和n值之间的负相关性出现在高温下，在增加的磁场与相关的纳米颗粒的行，可能是弯曲的c轴的薄膜。这表明，混合磁通钉扎不仅依赖于一维钉扎中心和三维钉扎中心的组合，而且还依赖于三维钉扎中心的大小和空间分布。

项目成果

EBE法で作製したAlテープ基板上MgB_2薄膜の磁束ピンニング特性

EBE法制备Al带基MgB_2薄膜的磁通钉扎特性

• 发表时间: 2011
• 作者: T. Sueyoshi;M. Mori;K. Tsuchiya;K. Yonekura;T. Fujiyoshi;F. Mitsugi;T. Ikegami;佐藤昭,V. Ryzhii,尾辻泰一;石黒駿介，河村希典;藤吉孝則,米倉健志,末吉哲郎,沖田健祐,土井俊哉,吉原和樹,淡路智,渡辺和雄
• 通讯作者: 藤吉孝則,米倉健志,末吉哲郎,沖田健祐,土井俊哉,吉原和樹,淡路智,渡辺和雄

YBCO薄膜のJ_cとn値に対する高密度の柱状欠陥の影響

高密度柱状缺陷对YBCO薄膜J_c和n值的影响

• 发表时间: 2011
• 作者: 湯本 英治;及川 郷志，河村 希典;末吉哲郎,西村太宏,米倉健志,藤吉孝則,光木文秋,池上知顯
• 通讯作者: 末吉哲郎,西村太宏,米倉健志,藤吉孝則,光木文秋,池上知顯

Flux pinning properties of MgB_2 thin films on Al tape substrates deposited by electron beam evaporation

电子束蒸发铝带基底上MgB_2薄膜的通量钉扎特性

• 发表时间: 2011
• 期刊: Physica C 472
• 作者: K. Yonekura;T. Fujiyoshi;T. Sueyoshi;T. Doi;T. Nishikawa
• 通讯作者: T. Nishikawa

K. Yonekura, T. Fujiyoshi, T. Sueyoshi, T. Doi, T. Nishikawa

K.米仓、T.藤吉、T.末吉、T.土井、T.西川

• DOI: 10.1016/j.physc.2011.05.144
• 发表时间: 2011
• 期刊: Physica C
• 影响因子: 1.7
• 作者: K. Okita;Y. Hatanaka;A. Adachi;T. Sueyoshi;T. Fujiyoshi;佐藤昭,尾辻泰一;Flux pinning properties of MgB2 thin films on Al tape substrates deposited by electron beam evaporation
• 通讯作者: Flux pinning properties of MgB2 thin films on Al tape substrates deposited by electron beam evaporation

スパッタリング法で作製したBi,Pb2223薄膜の超伝導特性

溅射法制备Bi,Pb2223薄膜的超导性能

• 发表时间: 2013
• 作者: A. R. Davoyan;M. Y. Morozov;A. Satou;V. V. Popov;and T. Otsuji;藤吉孝則,末吉哲郎,吉村兆貢,土屋啓輔,松本明善,北口仁
• 通讯作者: 藤吉孝則,末吉哲郎,吉村兆貢,土屋啓輔,松本明善,北口仁