高スピン偏極強磁性窒化物のエピタキシャル成長とスピントロニクスデバイスの作製

高自旋极化铁磁氮化物的外延生长及自旋电子器件的制备

基本信息

  • 批准号:
    12J02075
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.15万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2012 至 2013
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

新たなスピントロニクス応用材料として、Co_xFe_<4-x>NとCo_xMn_<4-x>Nに注目している。本年度は分子線エビタキシー法により、srTiO_3 (001)基板上に高品質な強磁性窒化物薄膜を作製し、X線磁気円二色性(XMCD)測定と内部転換電子メスバウアー(CEMS)測定を用いて、ユニットセル中の3d遷移金属原子の原子位置について評価した。Co_xFe_<4-x>N薄膜のXMCD測定とCEMS測定の結果から、作製したCo_3FeN薄膜のFeおよびCo原子は、Fe_4NやCo_4Nのように、IサイトとIIサイトの両方に存在することがわかった。また、第一原理計算の結果から、IサイトにCo原子、IIサイトにFeおよびCo原子が存在する理想とは異なるCo_3FeNでは、フェルミ準位における状態密度のスピン分極率(P_D)が低下する予想となった。これまでに不明確であったCo_3FeN薄膜のCo-Feディスオーダーについて、実験により明らかとなったことは大きな進歩であり、P_Dの絶対値が大きいCo_3FeN薄膜の実現には、Co-Feディスオーダーの低減が必要と判明した。XMCD測定による、Mn_4NおよびCO_<0.8>Mn_<3.2>N薄膜に対する元素選択磁化測定の結果では、角型性が良いヒステリシス曲線が得られ、明瞭な垂直磁気異方性を示せた。Co_<0.8>Mn_<3.2>N薄膜のMnL_<2,3>吸収端でのXMCDスペクトルは、Mn_4N薄膜のMnL_<2,3>吸収端よりもブロードなシグナルとなったことから、CO_<0.8>Mn_<3.2>N薄膜のMn原子は遍歴傾向が強いIIサイトに入りやすい傾向が示唆された。CoL_<2,3>吸収端では明瞭でシャープなXMCDスペクトルが得られたことから、Co原子は局在傾向が強いIサイトに入りやすい傾向が示唆された。新材料であるCo_xMn_<4-x>Nについても、基礎物性の理解が進んだといえる。
New たなスピントロニクス応 materials として, Co_xFe_<4-x>N とCo_xMn_<4-x>N にAttention している. This year's molecular line エビタキシー法により, srTiO_3 (001) Manufacture of high-quality ferromagnetic compound film on substrate, X-ray magnetic dichroism (XMCD) measurement and internal exchange of electrons CEMS (CEMS) is used to measure the atomic positions of 3D transferred metal atoms in CEMS and CEMS. Co_xFe_<4-x>N film's XMCD measurement and CEMS measurement results, production of Co_3FeN film's FeおよびCo atomは, Fe_4NやCo_4Nのように, IサイトとIIサイトの両squareに existenceすることがわかった.また、The result of first principles calculation から、IサイトにCo atom、IIサイトにFe およびCo atom がexistence するideal とはdifferent The reason for the low level of the なるCo_3FeN では and フェルミ level におけるstate density のスピンpolarization rate (P_D) is low.これまでにUnclearであったCo_3FeN filmのCo-Feディスオーダーについて、実験により明らかとなったことは大きな入歩であり, P_DのJu対値が大きいCo_3FeN thin film is now には, Co-Fe ディスオーダーの下注がと clarificationした. XMCD determination of による、Mn_4N およびCO_<0.8>Mn_<3.2>N thin film に対する element selection択The results of the magnetization measurement are clear, the angle-shaped properties are good and the curves are clear, and the vertical magnetic anisotropy is clear and clear. Co_<0.8>Mn_<3.2>N filmのMnL_<2,3>absorption endXMCDスペクトルは、Mn_4N filmのMnL_<2,3>absorption end CO_<0.8>Mn_<3.2>N The Mn atoms in the thin film have a strong tendency and a strong tendency. CoL_<2,3>The absorption end is clear and the XMCD is clearことから、Co atom is in the tendency of strong いIサイトに入りやすいtendency of がshows instigation された. New materials, Co_xMn_<4-x>N, basic physical properties, and understanding of basic physical properties.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
XMCDスペクトル形状から見るFe_4N薄膜の局所電子構造
从XMCD谱形看Fe_4N薄膜的局域电子结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    伊藤啓太;他
  • 通讯作者:
Electronic structures and magnetic moments of Co_3FeN thin films grown by molecular beam epitaxy
分子束外延生长Co_3FeN薄膜的电子结构和磁矩
  • DOI:
    10.1063/1.4836655
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Keita Ito;et al;Keita Ito et al.
  • 通讯作者:
    Keita Ito et al.
Co_xMn_<4-x>N(x=0,0. 8)薄膜のX線磁気円二色性
Co_xMn_<4-x>N(x=0,0.8)薄膜的X射线磁圆二色性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    伊藤啓太;他
  • 通讯作者:
X-ray magnetic circular dichroism for Co_3FeN films grown by molecular beam epitaxy
分子束外延生长Co_3FeN薄膜的X射线磁圆二色性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Keita Ito;et al
  • 通讯作者:
    et al
Negative spin-polarization in Fe_4N grown by molecular beam epitaxy
分子束外延生长 Fe_4N 的负自旋极化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Keita Ito;et al.
  • 通讯作者:
    et al.
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  • 通讯作者:
    木下治紀 木瀬信和 祢津誠晃 金澤徹 宮本恭幸
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    2015
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    0
  • 作者:
    東小薗 創真;伊藤 啓太;具志 俊希;都甲 薫;末益 崇
  • 通讯作者:
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  • 发表时间:
    2016
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  • 作者:
    高田 郁弥;伊藤 啓太;具志 俊希;東小薗 創真;都甲 薫;末益 崇
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  • 发表时间:
    2015
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  • 作者:
    伊藤 啓太;安富 陽子;鹿原 和樹;具志 俊希;東小薗 創真;都甲 薫;角田 匡清;末益 崇;Yuya Shoji and Tetsuya Mizumoto
  • 通讯作者:
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