実測評価に基づく一時故障に強靭な低電力向け集積回路の設計手法
実測評価に基づく一時故障に強靭な低電力向け集積回路の設計手法
批准号:
12J07662
负责人:
古田 潤
金额:
$1.15万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012 至 2013
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
本年度の研究では回路シミュレーションを用いて中性子起因のソフトエラーの評価を行った。近年の微細化によってソフトエラーの発生頻度は増加しており、特に問題となっているのが多ビットエラーである。多ビットエラーが生じるとソフトエラー耐性回路である多重化回路や、ECCなどのエラー訂正回路でもエラーとなる。本研究では多ビットエラーを回路シミュレーションにより評価する手法の検討を行い、昨年度に行ったソフトエラーの実測結果と比較を行った。昨年度行ったフリップフロップにおける多ビットエラーの実測では基板電位を固定するウェルコンタクトを密に配置することで多ビットエラーの発生率を1/100に低減できることを確認した。基板を抵抗と容量を用いてモデル化し、中性子線による基板電位の変動を回路シミュレーションで評価可能とする方法を提案した。基板のモデル化により、多ビットエラーの発生原理である寄生バイポーラ効果の影響を回路シミュレーションによって高速に評価することを可能とした。提案モデルを用いて多ビットエラーのラッチ問距離依存性を評価した。シミュレーションの結果は実測と比較して発生率が1/4程度と小さいものの、ラッチ間距離に対して指数関数的に減少する傾向は一致した。回路シミュレーションによる評価結果は国内会議で発表を行い、昨年度の研究成果である多ビットェラーの測定結果を国際会議で発表した。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Effects of neutron-induced well potential perturbation for multiple cell upset of flip-flops in 65nm
中子诱导的势阱扰动对 65nm 触发器多单元扰动的影响
DOI:
10.1109/tns.2012.2229718
发表时间:
2013
期刊:
IEEE Transactions on Nuclear Science
影响因子:
1.8
作者:
[Jun Furuta, Ryosuke Yamamoto, Kazutoshi Kobayashi, Hidetoshi Onodera]
通讯作者:
Hidetoshi Onodera
Measurement of Distance-dependent Multiple Upsets of Flip-Flops in 65nm CMOS Process
65nm CMOS 工艺中触发器与距离相关的多次翻转的测量
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Jun Furuta, Kazutoshi Kobayashi, Hidetoshi Onodera]
通讯作者:
Hidetoshi Onodera
ソフトエラーによる多ビットエラーのラッチ間距離依存性の評価
软错误引起的多位错误的锁存器间距离依赖性的评估
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[古田潤, 小林和淑, 小野寺秀俊]
通讯作者:
小野寺秀俊
微細プロセスにおける耐ソフトエラー集積回路の設計手法
微处理中抗软错误集成电路的设计方法
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[古田潤, 山本亮輔, 増田政基, 岡田翔伍, 久保田勘人, 小林和淑, 小野寺秀俊]
通讯作者:
小野寺秀俊
DOI:
10.1587/transele.e98.c.298
发表时间:
2013-04
期刊:
2013 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
影响因子:
--
作者:
[J. Furuta;Kazutoshi Kobayashi;H. Onodera]
通讯作者:
J. Furuta;Kazutoshi Kobayashi;H. Onodera
共 8 条
ゲート駆動回路とGaN HEMTの単一集積化による高速化と低ノイズ化の両立
-
批准号:23K03793
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
-
资助金额:$3.08万
-
财政年份:2023
-
负责人:古田 潤
-
依托单位: