ゲート駆動回路とGaN HEMTの単一集積化による高速化と低ノイズ化の両立

通过栅极驱动电路和GaN HEMT的单一集成实现高速和低噪声

基本信息

  • 批准号:
    23K03793
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-04-01 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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    $ 3.08万
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    2024
  • 资助金额:
    $ 3.08万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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