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ゲート駆動回路とGaN HEMTの単一集積化による高速化と低ノイズ化の両立
通过栅极驱动电路和GaN HEMT的单一集成实现高速和低噪声
基本信息
- 批准号：23K03793
- 负责人：
- 金额：$ 3.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
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