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Site- and shape-controlled growth of InAs quantum dots and their application to the electronics/photonics devices

InAs量子点的位点和形状控制生长及其在电子/光子器件中的应用

基本信息

批准号：
23681029
负责人：
SHIBATA Kenji
金额：
$ 17.72万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011-04-01 至 2014-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

Electrical manipulation and read-out of quantum states in zero-dimensional nanostructures by nano-gap metal electrodes is expected to bring about innovation in quantum information processing.In this study, the site- and shape-controlled InAs quantum dots (QDs) were successfully fabricated, which drastically improved the fabrication yield of the functional devices using single QDs. Then, a variety of remarkable properties of the InAs QD transistors were demonstrated, such as QD supercurrent transistors, electrically tunable large g-factors and spin-orbit interaction, and optical pumping of carriers in the terahertz frequency range. These works are opening a way for novel quantum information applications on self-assembled InAs QDs.

本研究成功制备了位置和形状可控的InAs量子点（QDs），极大地提高了单量子点功能器件的制作良率。然后，各种显着的性能的InAs量子点晶体管被证明，如量子点超导晶体管，电可调的大g因子和自旋轨道相互作用，以及在太赫兹频率范围内的载流子的光泵浦。这些工作为自组装InAs量子点的新型量子信息应用开辟了一条道路。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Terahertz inter-sublevel transitions in single self-assembled InAs quantum dots

单个自组装 InAs 量子点中的太赫兹子能级间跃迁

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Zhang;K. Shibata;N. Nagai;C. Ndebeka-Bandou;and K. Hirakawa
通讯作者：
and K. Hirakawa

Electrically tuned g tensor in an InAs self-assembled quantum dot

DOI：
10.1103/physrevb.84.041302
发表时间：
2011-07-06
期刊：
PHYSICAL REVIEW B
影响因子：
3.7
作者：
Deacon, R. S.;Kanai, Y.;Tarucha, S.
通讯作者：
Tarucha, S.

Electrically tuned spin-orbit interaction in an InAs self-assembled quantum dot

DOI：
10.1038/nnano.2011.103
发表时间：
2011-08-01
期刊：
NATURE NANOTECHNOLOGY
影响因子：
38.3
作者：
Kanai, Y.;Deacon, R. S.;Tarucha, S.
通讯作者：
Tarucha, S.

Chemical composition and thermal stability of AFM anodic oxides as nanomasks for site-controlled InAs QDs

作为位点控制 InAs 量子点纳米掩模的 AFM 阳极氧化物的化学成分和热稳定性

DOI：
10.1063/1.3666343
发表时间：
2011
期刊：
AIP conference proceeding series
影响因子：
0
作者：
K. M. Cha;K. Shibata;I. Horiuchi;M. Kamiko;R. Yamamoto;and K. Hirakawa
通讯作者：
and K. Hirakawa

Spin-orbit interaction detection using Kondo effect in single self- assembled InAs quantum dots

利用近藤效应在单个自组装 InAs 量子点中检测自旋轨道相互作用

DOI：
10.1063/1.3666400
发表时间：
2011
期刊：
AIP Conf. Proc.
影响因子：
0
作者：
Y. Kanai;R. S. Deacon;S. Takahashi;A. Oiwa;K. Yoshida;K. Shibata;Y. Tokura K. Hi- rakawa;and S. Tarucha
通讯作者：
and S. Tarucha