Physics and application of single self-assembled InAs quantum dot transistors
单自组装InAs量子点晶体管的物理与应用
基本信息
- 批准号:19560338
- 负责人:
- 金额:$ 2.91万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2007
- 资助国家:日本
- 起止时间:2007 至 2009
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
We have fabricated lateral electron tunneling structures by forming nanogap electrodes directly contacting single self-assembled InAs quantum dots (QDs) grown on GaAs surfaces. The fabricated junctions showed single electron tunneling behaviors and exhibited clear shell fillings. When quantum mechanical coupling between electrons in the QDs and the electrodes was strong, the Kondo effect was observed up to the very high temperature of T_K~80K.Owing to the good compatibility of InAs QDs with metals, further functionalities can be added to the structure by using superconducting or ferromagnetic nanogap electrodes.
我们通过在GaAs表面形成直接接触单个自组装InAs量子点(QD)的纳米间隙电极,制备了横向电子隧穿结构。所制备的结表现出单电子隧穿行为,并表现出清晰的壳层填充。当量子点中的电子与电极之间的量子力学耦合较强时,在T_K~ 80 K的高温下都能观察到近藤效应.由于InAs量子点与金属的良好相容性,可以通过使用超导或铁磁纳米间隙电极来增加结构的功能.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Physics and apphcation of single quantum dots coupled to metallic nanogap electrodes
单量子点耦合金属纳米间隙电极的物理及应用
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Shibata;M. Jung;C. Buizert;K. Hamaya;A. Oiwa;K. Hirakawa;T. Machida. and S. Tarucha
- 通讯作者:T. Machida. and S. Tarucha
Physics and applications of single quantum dots coupled to metallic nanogap electrodes
单量子点与金属纳米间隙电极耦合的物理和应用
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Shibata;M. Jung;C. Buizert;K. Hamaya;A. Oiwa;T. Machida;S. Tarucha;K. Hirakawa
- 通讯作者:K. Hirakawa
Spin-related current suppression in a semiconductor quantum dot spin-diode structure.
- DOI:10.1103/physrevlett.102.236806
- 发表时间:2009-05
- 期刊:
- 影响因子:8.6
- 作者:Kohei Hamaya;M. Kitabatake;Kenji Shibata;Minkyung Jung;Shigeyuki Ishida;Tomoyasu Taniyama;Kazuhiko Hirakawa;Y. Arakawa;T. Machida
- 通讯作者:Kohei Hamaya;M. Kitabatake;Kenji Shibata;Minkyung Jung;Shigeyuki Ishida;Tomoyasu Taniyama;Kazuhiko Hirakawa;Y. Arakawa;T. Machida
Fabrication of Single-Electron Transistor Composed of a Self-Assembled Quantum Dot and Nanogap Electrode by Atomic Force Microscope Local Oxidation
原子力显微镜局部氧化制备自组装量子点和纳米间隙电极组成的单电子晶体管
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:R.Moriya;H.Kobayashi;K.Shibata;S.Masubuchi;K.Hirakawa;S.Ishida;Y.Arakawa;T.Machida
- 通讯作者:T.Machida
Kondo universality for a quantum dot coupled to superconducting leads
量子点与超导引线耦合的近藤通用性
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:C. Buizert;A. Oiwa;K. Shibata;K. Hirakawa;S. Tarucha
- 通讯作者:S. Tarucha
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
SHIBATA Kenji其他文献
SHIBATA Kenji的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('SHIBATA Kenji', 18)}}的其他基金
Control of single charge/spin states by terahertz radiation
通过太赫兹辐射控制单电荷/自旋态
- 批准号:
25600013 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Site- and shape-controlled growth of InAs quantum dots and their application to the electronics/photonics devices
InAs量子点的位点和形状控制生长及其在电子/光子器件中的应用
- 批准号:
23681029 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
相似海外基金
傾斜構造による量子ドット内エネルギー勾配形成と電荷分離の促進
量子点内能量梯度的形成以及梯度结构促进电荷分离
- 批准号:
23K23174 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
半導体量子ドットの電子・核スピン相関時間と四極子効果の変調による核偏極の自在制御
通过调制半导体量子点中电子/核自旋相关时间和四极效应自由控制核极化
- 批准号:
24K08189 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
半導体量子ドット集合系での超蛍光発生機構における量子揺らぎの観測と制御
半导体量子点组装系统中超荧光产生机制中量子涨落的观测与控制
- 批准号:
24K06929 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
自律低温プロセスによるSi量子ドットの高収率生成と高品質化の同時実現
通过自主低温工艺同时实现硅量子点的高产率生产和高质量
- 批准号:
24K07564 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
伝導性有機量子ドットの位置制御のための有機分子混合電子線レジストの研究
导电有机量子点位置控制混合有机分子电子束抗蚀剂研究
- 批准号:
24K07575 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
高輝度安定型量子ドットと革新的マイクロ細胞組織による光治療薬開発と1分子動態解明
使用高强度稳定量子点和创新微细胞组织开发光疗药物并阐明单分子动力学
- 批准号:
23K21067 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ヘテロ界面に挿入した量子ドットによる赤外増感型光電変換の実現
利用异质界面插入量子点实现红外敏化光电转换
- 批准号:
23K26142 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
価数制御とシェル構築による高性能Sn系Pbフリーペロブスカイト量子ドットの創出
通过价态控制和壳层构建制备高性能锡基无铅钙钛矿量子点
- 批准号:
24KJ0453 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
表面配位子を起点とするペロブスカイト量子ドットの創発的表面保護とデバイス展開
来自表面配体的钙钛矿量子点的新兴表面保护和器件开发
- 批准号:
24KJ0450 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
優先的核発生の制御によるエピシェル型ペロブスカイト量子ドットの創成
通过控制优先成核创建外壳钙钛矿量子点
- 批准号:
23K23114 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)














{{item.name}}会员




