Dielectric rod type photonic crystal laser using dilute nitride semiconductor light source

使用稀氮化物半导体光源的介质棒型光子晶体激光器

• 批准号: 23686004
• 负责人: ISHIKAWA Fumitaro
• 金额: $ 17.06万
• 依托单位: Ehime University (2013)Osaka University (2011-2012)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23686004/
• 关键词: 分子線エピタキシー; フォトニック結晶; ナノワイヤ; 化合物半導体; 希釈窒化物半導体; デルタドーピング; 結晶成長

We investigated the fabrication of dielectric rod type photonic crystal laser using dilute nitride semiconductor nanostructures. The study was focused on to the growth of the dilute nitride nano-material using molecular bean epitaxy, and its application to photonic crystal device. We could obtain core-shell type GaAs/GaAsN nanowire. Further, the emission wavelength at the near infrared 950 nm was observed by controlling the amount of introduced nitrogen into the GaAsN layer. Introducing the GaInNAs quantum wells into a cavity structure on which rod-type photonic crystal is patterned, we observe close to tenfold enhancement of extracted luminescence efficiency from the surface depending on the correlated variation photonic bandgap.

研究了利用稀氮化物半导体纳米结构制作介质棒型光子晶体激光器。本文主要研究了用分子束外延技术生长稀氮化物纳米材料，并将其应用于光子晶体器件。我们可以得到核壳型的GaAs/GaAsN纳米线。此外，通过控制向GaAsN层中引入的氮的量，观察到近红外950 nm处的发射波长。将GaInNAs量子威尔斯阱引入到一个由棒状光子晶体图案化的腔结构中，我们观察到从表面提取的发光效率提高了近十倍，这取决于光子带隙的相关变化。

项目成果

AlGaAs/GaAs量子井戸への窒素δ-ドープに関する研究

AlGaAs/GaAs量子阱氮δ掺杂研究

• 作者: Ryuji Katayama;Yujiro Fukuhara;Masahiro Kakuda;Shigeyuki Kuboya;Kentaro Onabe;Syusai Kurokawa;Naoto Fujii;Takashi Matsuoka;古瀬慎一朗，角谷健吾，石川史太郎
• 通讯作者: 古瀬慎一朗，角谷健吾，石川史太郎

Epitaxial Growth of Dilute Nitride Semiconductor Nanostructures: δ-doping Quantum

稀氮化物半导体纳米结构的外延生长：δ 掺杂量子

• 作者: Maeda;H.;臼井信悟,幸村健介,芦原聡;Fumitaro Ishikawa
• 通讯作者: Fumitaro Ishikawa

Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAsN Nanowire on Si(111) Substrate

Si(111) 衬底上 GaAsN 纳米线的分子束外延生长

• 作者: Y. Araki;M. Yamaguchi;and F. Ishikawa
• 通讯作者: and F. Ishikawa

Unintentional Source Incorporation During Molecular Beam Epitaxy Induced by Gas Phase Scattering

气相散射诱导分子束外延过程中的无意源掺入

• 作者: F. Ishikawa;and M. Kondow
• 通讯作者: and M. Kondow

プラズマプロセスがGaAs 系半導体光学素子構造諸特性に与える影響

等离子体工艺对GaAs基半导体光学元件结构特性的影响

• 作者: 室谷英彰;赤瀬大貴;山田陽一;田口常正;松本隆文;中村大輔;岡田龍雄;渡辺章王，石川史太郎，近藤正彦
• 通讯作者: 渡辺章王，石川史太郎，近藤正彦