Development of high-throughput modeling method for three-dimensional semiconductor-oxide interface
Development of high-throughput modeling method for three-dimensional semiconductor-oxide interface
三维半导体-氧化物界面高通量建模方法的发展
批准号：
24310082
负责人：
TAKANOBU Watanabe
金额：
$13.06万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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Phonon Dispersion in <100>Si Nanowire Covered with Si02 Film Calculated by Molecular Dynamics Simulation
分子动力学模拟计算覆盖SiO2薄膜的<100>Si纳米线中的声子色散
分子动力学模拟计算覆盖SiO2薄膜的<100>Si纳米线中的声子色散
DOI：
10.1149/05009.0673ecst
发表时间：
2012
期刊：
ECS Transcations
影响因子：
--
作者：
[西川綾, 寺口昌宏, 青木俊樹, 金子隆司, Takanobu Watanabe]
通讯作者：
Takanobu Watanabe
Source-induced RDF Overwhelms RTN in Nanowire Transistor: Statistical Analysis with Full Device EMC/MD Simulation
纳米线晶体管中源感应 RDF 压倒 RTN：通过全器件 EMC/MD 仿真进行统计分析
纳米线晶体管中源感应 RDF 压倒 RTN：通过全器件 EMC/MD 仿真进行统计分析
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Akito Suzuki, Takefumi Kamioka, Yoshinari Kamakura, Kenji Ohmori, Keisaku Yamada, and Takanobu Watanabe]
通讯作者：
and Takanobu Watanabe
Current fluctuation in sub-nano second regime in gate-all-around nanowire channels studied with ensemble Monte Carlo/molecular dynamics simulation
使用集成蒙特卡罗/分子动力学模拟研究环栅纳米线通道中亚纳米第二状态的电流波动
使用集成蒙特卡罗/分子动力学模拟研究环栅纳米线通道中亚纳米第二状态的电流波动
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Kumano, H. Nakajima, T. Kuroda, T. Mano, K. Akahane, M. Sasaki and I. Suemune, Takefumi Kamioka]
通讯作者：
Takefumi Kamioka
Molecular Dynamics Simulation of Thermal Properties of Nanoscale Silicon Structures Covered with Oxide Film
氧化膜纳米硅结构热性能的分子动力学模拟
氧化膜纳米硅结构热性能的分子动力学模拟
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Zhang, R. Akiyama, K. Kanazawa, S. Kuroda, H. Ofuchi, Takanobu Watanabe]
通讯作者：
Takanobu Watanabe
酸化膜に覆われたナノワイヤ型Si結晶のフォノン分散関係
氧化膜覆盖的纳米线型硅晶体中声子色散关系
氧化膜覆盖的纳米线型硅晶体中声子色散关系
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ken Kanazawa, Taku Nishimura, Shoji Yoshida, Hidemi Shigekawa and Shinji Kuroda, Nobuya Mori, Nobuya Mori, K. Kanazawa, 富田 将典]
通讯作者：
富田 将典
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