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Development of high-throughput modeling method for three-dimensional semiconductor-oxide interface
三维半导体-氧化物界面高通量建模方法的发展
基本信息
- 批准号：24310082
- 负责人：
- 金额：$ 13.06万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Phonon Dispersion in <100>Si Nanowire Covered with Si02 Film Calculated by Molecular Dynamics Simulation
分子动力学模拟计算覆盖SiO2薄膜的<100>Si纳米线中的声子色散
- DOI：10.1149/05009.0673ecst
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：西川綾;寺口昌宏;青木俊樹;金子隆司;Takanobu Watanabe
- 通讯作者：Takanobu Watanabe
Source-induced RDF Overwhelms RTN in Nanowire Transistor: Statistical Analysis with Full Device EMC/MD Simulation
纳米线晶体管中源感应 RDF 压倒 RTN：通过全器件 EMC/MD 仿真进行统计分析
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Akito Suzuki;Takefumi Kamioka;Yoshinari Kamakura;Kenji Ohmori, Keisaku Yamada;and Takanobu Watanabe
- 通讯作者：and Takanobu Watanabe
Current fluctuation in sub-nano second regime in gate-all-around nanowire channels studied with ensemble Monte Carlo/molecular dynamics simulation
使用集成蒙特卡罗/分子动力学模拟研究环栅纳米线通道中亚纳米第二状态的电流波动
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Kumano;H. Nakajima;T. Kuroda;T. Mano;K. Akahane;M. Sasaki and I. Suemune;Takefumi Kamioka
- 通讯作者：Takefumi Kamioka
Molecular Dynamics Simulation of Thermal Properties of Nanoscale Silicon Structures Covered with Oxide Film
氧化膜纳米硅结构热性能的分子动力学模拟
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Zhang;R. Akiyama;K. Kanazawa;S. Kuroda;H. Ofuchi;Takanobu Watanabe
- 通讯作者：Takanobu Watanabe
酸化膜に覆われたナノワイヤ型Si結晶のフォノン分散関係
氧化膜覆盖的纳米线型硅晶体中声子色散关系
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ken Kanazawa;Taku Nishimura;Shoji Yoshida;Hidemi Shigekawa and Shinji Kuroda;Nobuya Mori;Nobuya Mori;K. Kanazawa;富田 将典
- 通讯作者：富田 将典
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TAKANOBU Watanabe其他文献
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