Multi-axial analysis of strain states introduced in nano area on Ge and SiGe super-thin films by Raman spectroscopy

利用拉曼光谱对 Ge 和 SiGe 超薄膜纳米区域引入的应变状态进行多轴分析

• 批准号: 24360125
• 负责人: OGURA ATSUSHI
• 金额: $ 11.81万
• 依托单位: Meiji University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24360125/
• 关键词: SiGe; 応力・歪; 液浸ラマン分光法; フォノン変形ポテンシャル（PDPs）; 有限要素法（FEM）; 第一原理計算（ab initio）; 電子・電気材料; 表面増強ラマン分光法; 有限要素法（FEM; 有限差分時間領域法（FDTD）; 国際情報交換; 電気・電子材料; 応力; 歪; 有限要素法; 異方性歪; フォノン変形ポテンシャル

项目成果

In-Plane Biaxial Strain Evaluation Induced in Ge1-XSnx Films Using Oil-Immersion Raman Spectroscopy

使用油浸拉曼光谱评估 Ge1-XSnx 薄膜中诱导的面内双轴应变

• DOI: 10.1149/07508.0589ecst
• 发表时间: 2016
• 期刊: ECS Transactions
• 作者: K. Takeuchi;K. Suda;R. Suzuki;R. Yokogawa;N. Sawamoto;K. Usuda;and A. Ogura
• 通讯作者: and A. Ogura

SiGe薄膜のラマンスペクトルに見られるブロードピークの起源の検討

SiGe 薄膜拉曼光谱宽峰来源的研究

• 发表时间: 2016
• 作者: 武内 一真;小瀬村 大亮;横川 凌;澤本 直美;臼田 宏治;小椋 厚志
• 通讯作者: 小椋 厚志

Evaluation of Stress Relaxation in Strained SiGe Wire by Two-dimensional Super-resolution Raman S

利用二维超分辨率拉曼光谱评估应变 SiGe 线中的应力松弛

• 发表时间: 2014
• 作者: Motohiro Tomita;Daisuke Kosemura;Koji Usuda;Tsutomu Tezuka;Atsushi Ogura
• 通讯作者: Atsushi Ogura

Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layer by Super-resolution Raman Spectroscopy and FEM Simulation

通过超分辨率拉曼光谱和有限元模拟评估台面形应变硅层中的各向异性应力松弛

• 发表时间: 2012
• 作者: M. Tomita;D. Kosemura;K. Usuda;T. Tezuka;and A. Ogura
• 通讯作者: and A. Ogura

Characterization of anisotropic strain relaxation after mesa isolation for strained SGOI and SiGe/Si structure with newly developed high-NA and oil-immersion hman method

采用新开发的高数值孔径和油浸 hman 方法表征应变 SGOI 和 SiGe/Si 结构的台面隔离后的各向异性应变弛豫

• 发表时间: 2012
• 作者: K. Usuda;D. Kosemura;M. Tomita;A. Ogura;and T. Tezuka
• 通讯作者: and T. Tezuka