Multi-axial analysis of strain states introduced in nano area on Ge and SiGe super-thin films by Raman spectroscopy
Multi-axial analysis of strain states introduced in nano area on Ge and SiGe super-thin films by Raman spectroscopy
利用拉曼光谱对 Ge 和 SiGe 超薄膜纳米区域引入的应变状态进行多轴分析
批准号：
24360125
负责人：
OGURA ATSUSHI
金额：
$11.81万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2017-03-31
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In-Plane Biaxial Strain Evaluation Induced in Ge1-XSnx Films Using Oil-Immersion Raman Spectroscopy
使用油浸拉曼光谱评估 Ge1-XSnx 薄膜中诱导的面内双轴应变
使用油浸拉曼光谱评估 Ge1-XSnx 薄膜中诱导的面内双轴应变
DOI：
10.1149/07508.0589ecst
发表时间：
2016
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
--
作者：
[K. Takeuchi, K. Suda, R. Suzuki, R. Yokogawa, N. Sawamoto, K. Usuda, and A. Ogura]
通讯作者：
and A. Ogura
SiGe薄膜のラマンスペクトルに見られるブロードピークの起源の検討
SiGe 薄膜拉曼光谱宽峰来源的研究
SiGe 薄膜拉曼光谱宽峰来源的研究
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[武内 一真, 小瀬村 大亮, 横川 凌, 澤本 直美, 臼田 宏治, 小椋 厚志]
通讯作者：
小椋 厚志
Evaluation of Stress Relaxation in Strained SiGe Wire by Two-dimensional Super-resolution Raman S
利用二维超分辨率拉曼光谱评估应变 SiGe 线中的应力松弛
利用二维超分辨率拉曼光谱评估应变 SiGe 线中的应力松弛
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Motohiro Tomita, Daisuke Kosemura, Koji Usuda, Tsutomu Tezuka, Atsushi Ogura]
通讯作者：
Atsushi Ogura
Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layer by Super-resolution Raman Spectroscopy and FEM Simulation
通过超分辨率拉曼光谱和有限元模拟评估台面形应变硅层中的各向异性应力松弛
通过超分辨率拉曼光谱和有限元模拟评估台面形应变硅层中的各向异性应力松弛
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura]
通讯作者：
and A. Ogura
Characterization of anisotropic strain relaxation after mesa isolation for strained SGOI and SiGe/Si structure with newly developed high-NA and oil-immersion hman method
采用新开发的高数值孔径和油浸 hman 方法表征应变 SGOI 和 SiGe/Si 结构的台面隔离后的各向异性应变弛豫
采用新开发的高数值孔径和油浸 hman 方法表征应变 SGOI 和 SiGe/Si 结构的台面隔离后的各向异性应变弛豫
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Usuda, D. Kosemura, M. Tomita, A. Ogura, and T. Tezuka]
通讯作者：
and T. Tezuka
共 63 条
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