Extremely high density carrier doping mechanism on diamond and application to the next generation devices
Extremely high density carrier doping mechanism on diamond and application to the next generation devices
金刚石极高密度载流子掺杂机制及其在下一代器件中的应用
批准号：
24360124
负责人：
KASU Makoto
金额：
$12.4万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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ダイヤモンドMOSFETの容量電圧測定によるMOS構造のエネルギー構造の解析
通过测量金刚石MOSFET电容电压分析MOS结构的能量结构
通过测量金刚石MOSFET电容电压分析MOS结构的能量结构
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[原田和也, 平間一行, 古賀優太, 大石敏之, 嘉数 誠]
通讯作者：
嘉数 誠
シンクロトロン光・単色X線トポグラフィーによる高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の反りの高精度測定
利用同步加速器光和单色 X 射线形貌高精度测量高温高压人造金刚石单晶的翘曲
利用同步加速器光和单色 X 射线形貌高精度测量高温高压人造金刚石单晶的翘曲
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[嘉数 誠, 村上竜一, 桝谷聡士, 原田和也, 角谷 均]
通讯作者：
角谷 均
Diamond Power Transistors: Present Status and Challenges
金刚石功率晶体管：现状与挑战
金刚石功率晶体管：现状与挑战
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ho-Yu Lin, Masaharu Takahashi, Daisuke Takei, Kazuyuki Saito, and Koichi Ito, Makoto Kasu]
通讯作者：
Makoto Kasu
CVD成長ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光・X線トポグラフィー観察
CVD 生长金刚石单晶的同步光/X 射线形貌观察
CVD 生长金刚石单晶的同步光/X 射线形貌观察
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[桝谷聡士, 村上竜一, 角谷 均, 嘉数 誠]
通讯作者：
嘉数 誠
金属の電界施主における非金属電極材料の効果
非金属电极材料对金属电场应用的影响
非金属电极材料对金属电场应用的影响
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[池田 進, 田尾晋太郎, 村上竜一, 千北哲聖, 嘉数誠]
通讯作者：
嘉数誠
共 73 条
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