Extremely high density carrier doping mechanism on diamond and application to the next generation devices

金刚石极高密度载流子掺杂机制及其在下一代器件中的应用

基本信息

  • 批准号:
    24360124
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 12.4万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2012-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
ダイヤモンドMOSFETの容量電圧測定によるMOS構造のエネルギー構造の解析
通过测量金刚石MOSFET电容电压分析MOS结构的能量结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    原田和也;平間一行;古賀優太;大石敏之;嘉数 誠
  • 通讯作者:
    嘉数 誠
シンクロトロン光・単色X線トポグラフィーによる高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の反りの高精度測定
利用同步加速器光和单色 X 射线形貌高精度测量高温高压人造金刚石单晶的翘曲
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    嘉数 誠;村上竜一;桝谷聡士;原田和也;角谷 均
  • 通讯作者:
    角谷 均
Diamond Power Transistors: Present Status and Challenges
金刚石功率晶体管:现状与挑战
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ho-Yu Lin;Masaharu Takahashi;Daisuke Takei;Kazuyuki Saito;and Koichi Ito;Makoto Kasu
  • 通讯作者:
    Makoto Kasu
CVD成長ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光・X線トポグラフィー観察
CVD 生长金刚石单晶的同步光/X 射线形貌观察
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    桝谷聡士;村上竜一;角谷 均;嘉数 誠
  • 通讯作者:
    嘉数 誠
金属の電界施主における非金属電極材料の効果
非金属电极材料对金属电场应用的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    池田 進;田尾晋太郎;村上竜一;千北哲聖;嘉数誠
  • 通讯作者:
    嘉数誠
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KASU Makoto其他文献

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