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Fabrication of vertical strained-Ge MOSFETs by channel-last process and the electrical characterization

Fabrication of vertical strained-Ge MOSFETs by channel-last process and the electrical characterization
采用后沟道工艺制造垂直应变 Ge MOSFET 并进行电气表征
批准号：
24360120
负责人：
SHIMURA Takayoshi
金额：
$11.9万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24360120/
关键词：
電気・電子材料作成・評価技術エピタキシャル成長半導体ゲルマニウム格子歪み

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横方向液相エピタキシャル成長により作製したGOI MOSFETのキャリア移動度評価
横向液相外延生长GOI MOSFET的载流子迁移率评估
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [Toma Kanehira, and Hiroyuki Awano, 松江将博]
通讯作者： 松江将博
Fabrication of High-Quality GOI and SGOI Structures by Rapid Melt Growth Method-Novel Platform for High-Mobility Transistors and Photonic Devices
通过快速熔融生长方法制造高质量GOI和SGOI结构——高迁移率晶体管和光子器件的新平台
DOI： 10.1149/05004.0261ecst
发表时间： 2012
期刊： ECS Transaction
影响因子： --
作者： [Tatsuyuki Maeda, Toma Kanehira, and Hiroyuki Awano, Heiji Watanabe]
通讯作者： Heiji Watanabe
横方向液相エピタキシャル成長法によりY2O3層上に形成した局所GOI層の電気特性評価
Y2O3层上横向液相外延生长局部GOI层的电学性能评价
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [桝谷聡士, 村上竜一, 角谷均, 嘉数　誠, 梶村 恵子，松江 将博，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司]
通讯作者： 梶村 恵子，松江 将博，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司
横方向液相成長によって作製したGeSn-on-insulator構造のバンドギャップ変調評価
横向液相外延制备的绝缘体上 GeSn 结构的带隙调制评估
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [Shintaro Harada, and Hiroyuki Awano, 4.冨永 幸平，松江 将博，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司]
通讯作者： 4.冨永 幸平，松江 将博，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司
共 24 条
    Fabrication and electrical characterization of GOI structures by rapid melt growth
    • 批准号：
      21360149
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.48万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      SHIMURA Takayoshi
    • 依托单位：
      Osaka University