Fabrication of vertical strained-Ge MOSFETs by channel-last process and the electrical characterization

采用后沟道工艺制造垂直应变 Ge MOSFET 并进行电气表征

• 批准号: 24360120
• 负责人: SHIMURA Takayoshi
• 金额: $ 11.9万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24360120/
• 关键词: 電気・電子材料; 作成・評価技術; エピタキシャル成長; 半導体; ゲルマニウム; 格子歪み

项目成果

横方向液相エピタキシャル成長により作製したGOI MOSFETのキャリア移動度評価

横向液相外延生长GOI MOSFET的载流子迁移率评估

• 发表时间: 2013
• 作者: Toma Kanehira;and Hiroyuki Awano;松江将博
• 通讯作者: 松江将博

Fabrication of High-Quality GOI and SGOI Structures by Rapid Melt Growth Method-Novel Platform for High-Mobility Transistors and Photonic Devices

通过快速熔融生长方法制造高质量GOI和SGOI结构——高迁移率晶体管和光子器件的新平台

• DOI: 10.1149/05004.0261ecst
• 发表时间: 2012
• 期刊: ECS Transaction
• 作者: Tatsuyuki Maeda;Toma Kanehira;and Hiroyuki Awano;Heiji Watanabe
• 通讯作者: Heiji Watanabe

横方向液相エピタキシャル成長法によりY2O3層上に形成した局所GOI層の電気特性評価

Y2O3层上横向液相外延生长局部GOI层的电学性能评价

• 发表时间: 2014
• 作者: 桝谷聡士;村上竜一;角谷均;嘉数 誠;梶村 恵子，松江 将博，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司
• 通讯作者: 梶村 恵子，松江 将博，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司

横方向液相成長によって作製したGeSn-on-insulator構造のバンドギャップ変調評価

横向液相外延制备的绝缘体上 GeSn 结构的带隙调制评估

• 发表时间: 2014
• 作者: Shintaro Harada;and Hiroyuki Awano;4.冨永 幸平，松江 将博，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司
• 通讯作者: 4.冨永 幸平，松江 将博，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司

Fabrication of High-quality SiGe-on-Insulator and Ge-on-Insulator Structures by Rapid Melt Growth

通过快速熔体生长制造高质量绝缘体上硅Ge和绝缘体上Ge结构

• 发表时间: 2012
• 作者: K.Sakamoto;S.Suzuki;T.Omori;K.Hashimoto;J.Kushibiki;and S.Matsuda;Takayoshi Shimura
• 通讯作者: Takayoshi Shimura