Fabrication and electrical characterization of GOI structures by rapid melt growth

通过快速熔体生长制备 GOI 结构并对其进行电学表征

• 批准号: 21360149
• 负责人: SHIMURA Takayoshi
• 金额: $ 11.48万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21360149/
• 关键词: 作成・評価技術; Ge on insulator; 液相エピタキシャル成長; 急速昇温加熱; ゲルマニウム; シリコンゲルマニウム; 選択成長; バックゲートトランジスタ; 電子デバイス; 半導体; 結晶成長

Germanium on insulator structures have been expected as starting materials for future electric devices. Therefore, new fabrication process of GOI structure is required to obtain high-quality single-crystalline Ge layers. In this study we have proposed novel method and examined the advantages of the process. The transistors based on the GOI structures fabricated by this process showed excellent electrical properties, indicting the benefit of this method and the availability for future electric devices.

绝缘体结构上的锗有望成为未来电子设备的原材料。因此，需要新的GOI结构制造工艺来获得高质量的单晶Ge层。在这项研究中，我们提出了新方法并检验了该过程的优点。通过该工艺制造的基于 GOI 结构的晶体管表现出优异的电性能，表明了该方法的优势以及未来电子器件的可用性。

项目成果

急速加熱処理によるGe1-xSnx層の低温エピタキシャル成長

快速热处理低温外延生长Ge1-xSnx层

• 发表时间: 2012
• 作者: 荻原伸平;片岡伸文;鈴木雄一朗;細井卓治;志村考功;渡部平司
• 通讯作者: 渡部平司

横方向液相エピタキシャル成長により作成した単結晶GOI構造の電気特性評価

横向液相外延生长单晶GOI结构的电学性能评估

• 发表时间: 2012
• 作者: 鈴木雄一朗;原伸平;井卓治;志村考功;渡部平司
• 通讯作者: 渡部平司

急速加熱処理によるGe_<1-x>Sn_x層の低温エピタキシャル成長

快速热处理低温外延生长Ge_<1-x>Sn_x层

• 发表时间: 2012
• 作者: 荻原伸平;片岡伸文;鈴木雄一朗;細井卓治;志村考功;渡部平司
• 通讯作者: 渡部平司

単結晶状GeSn含有材料の製造方法および単結晶状GeSn含有材料基板

单晶含GeSn材料的制造方法及单晶含GeSn材料基板

• 发表时间: 2012

High-mobility Ge-on-insulator p-channel MOSFETs fabricated by lateral liquid-phase epitaxy

横向液相外延制备高迁移率绝缘体上Ge p沟道MOSFET

• 发表时间: 2011
• 作者: Y. Suzuki;S. Ogiwara;T. Hosoi;T. Shimura;and H. Watanabe
• 通讯作者: and H. Watanabe