课题基金 / 基金详情

Integration of Power Supply Circuit With High Frequency Switching Amplifier Using GaN HEMT device

Integration of Power Supply Circuit With High Frequency Switching Amplifier Using GaN HEMT device
采用 GaN HEMT 器件的电源电路与高频开关放大器的集成
批准号:
24360153
负责人:
Suetsugu Tadashi
金额:
$8.07万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-04-01 至 2016-03-31

项目摘要

项目成果

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Power dissipation at MOSFET gate port of class E amplifier
E 类放大器 MOSFET 栅极端口的功耗
DOI: --
发表时间: 2013
期刊: International Conference on Renewable Energy Research and Applications(ICRERA2013)
影响因子: --
作者: [Akito Kiri, Mitsuru Sato, Shotaro Kuga, Xiuqin Wei, and Tadashi Suetsugu]
通讯作者: and Tadashi Suetsugu
Negative-bias driving voltage for class-E GaN HEMT oscillator using a diode
使用二极管的 E 类 GaN HEMT 振荡器的负偏置驱动电压
DOI: --
发表时间: 2013
期刊: 2013 International Workshop on Nonlinear Circuits, Communications and Signal Processing (NCSP'13)
影响因子: --
作者: [Youhei Noguchi, Xiuqin Wei, Tomoharu Nagashima, Hiroo Sekiya, and Tadashi Suetsugu]
通讯作者: and Tadashi Suetsugu
Extended Discrete Control of Class E Amplifier in Order to Achieve Nominal Operation
E 类放大器的扩展离散控制以实现标称运行
DOI: 10.1109/ipec.2014.6870068
发表时间: 2014
期刊: International Power Electronics Conference ECCE-ASIA (IPEC2014)
影响因子: --
作者: [Tadashi Suetsugu, Xiuqin Wei, Shotaro Kuga]
通讯作者: Shotaro Kuga
DOI: 10.1109/iecon.2015.7392659
发表时间: 2015-11
期刊: IECON 2015 - 41st Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society
影响因子: --
作者: [Dalvir K. Saini;A. Ayachit;M. Kazimierczuk;T. Suetsugu]
通讯作者: Dalvir K. Saini;A. Ayachit;M. Kazimierczuk;T. Suetsugu
37
    海外基金