Integration of Power Supply Circuit With High Frequency Switching Amplifier Using GaN HEMT device

采用 GaN HEMT 器件的电源电路与高频开关放大器的集成

基本信息

  • 批准号：
    24360153
  • 负责人：
    Suetsugu Tadashi
  • 金额：
    $ 8.07万
  • 依托单位：
    Fukuoka University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2012
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2012-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Power dissipation at MOSFET gate port of class E amplifier
E 类放大器 MOSFET 栅极端口的功耗
Negative-bias driving voltage for class-E GaN HEMT oscillator using a diode
使用二极管的 E 类 GaN HEMT 振荡器的负偏置驱动电压
Extended Discrete Control of Class E Amplifier in Order to Achieve Nominal Operation
E 类放大器的扩展离散控制以实现标称运行
Small-signal analysis of PWM boost converter in CCM with complex impedance load
Consideration of interference between parallel connected class D amplifiers operated at different switching frequencies
考虑在不同开关频率下工作的并联 D 类放大器之间的干扰
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