Study on voltage control of interface anisotropy energy at ferromagnetic - oxide interfaces

铁磁-氧化物界面界面各向异性能量的电压控制研究

• 批准号: 24360287
• 负责人: KITA Koji
• 金额: $ 11.56万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24360287/
• 关键词: 強磁性体; 界面磁気異方性; 垂直磁化; 印加電圧; 不揮発性メモリ; 絶縁膜; 電界応答; 界面制御; 電界効果; 酸化物; 表面・界面物性; 磁性; 先端機能デバイス; 垂直磁気異方性

项目成果

Voltage-Induced Nonvolatile Change of Magnetic Anisotropy of CoFeB Ultrathin Films Stacked With Multivalent Oxides

多价氧化物堆叠CoFeB超薄膜磁各向异性的电压诱导非易失性变化

• DOI: 10.1149/05805.0127ecst
• 发表时间: 2013
• 期刊: ECS Transactions
• 作者: H. Kozuka;T. Fukui;A. Yamano;H. Uchiyama and M.Takahashi;Jiro Koba and Koji Kita
• 通讯作者: Jiro Koba and Koji Kita

Challenges and Opportunities in Voltage Control of Magnetic Anisotropy of Ultrathin Ferromagnetic Metals for Future Spintronics

未来自旋电子学超薄铁磁金属磁各向异性电压控制的挑战和机遇

• 发表时间: 2012
• 作者: Jiro Koba and Koji Kita;古場治朗，喜多浩之;Koji Kita and D. C. Worledge
• 通讯作者: Koji Kita and D. C. Worledge

Study on Interface Magnetic Anisotropy Deterioration Mechanisms in Ta/CoFeB/MgO stacks

Ta/CoFeB/MgO叠层界面磁各向异性劣化机理研究

• 发表时间: 2012
• 作者: Naruto Miyakawa;D. C. Worledge;and Koji Kita
• 通讯作者: and Koji Kita

CoFeB と遷移金属酸化物MOx の界面磁気異方性の電界応答性に遷移金属元素M の性質が与える影響

过渡金属元素M的性质对CoFeB与过渡金属氧化物MOx界面磁各向异性电场响应的影响

• 发表时间: 2015
• 作者: 松原功尚;渕上輝顕;柿本健一;大石竜輔，喜多浩之
• 通讯作者: 大石竜輔，喜多浩之

誘電体/COFeB界面の磁気異方性とその電圧応答に与える誘電体中アニオン種の効果

电介质中阴离子种类对电介质/COFeB界面磁各向异性及其电压响应的影响

• 发表时间: 2013
• 作者: 宮川成人;栗原隆帆;喜多浩之
• 通讯作者: 喜多浩之