Application of proton conduction of nickel oxide nanostructures to electrochromic devices
Application of proton conduction of nickel oxide nanostructures to electrochromic devices
批准号:
22656142
负责人:
KITA Koji
金额:
$2.37万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2010
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2010 至 2012
中文摘要
研究了离子导电在电学器件缺陷诱导氧化物薄膜中的应用。首先,利用氢诱导溅射制备的氢化Ta2O5薄膜证明了一种用于全干法电致变色电池的质子导电电解液,尽管纳米结构的NiO薄膜没有表现出任何预期的离子导电性。其次,通过氧空位在Ti02-δ层中的输运,证明了TiO2CoFeB/铁磁CoFeB堆栈的磁各向异性随电压的非挥发性变化。这一结果预示着一种由氧化物离子导电驱动的新型磁性器件的可能发展。
英文摘要
Applications of ionic conduction in defect-induced-oxide thin films for electrical devices were investigated. First, a proton-conducting electrolyte for an all-dry-processed electrochromic cell was demonstrated by using the hydrogenated-Ta2O5 films prepared by hydrogen-introduced sputtering, even though nano-structured NiO thin films did not show any expected ionic conductions. Next, voltage-induced nonvolatile change of magnetic anisotropy was demonstrated for TiO2-δ/ferromagnetic CoFeB stacks, by means of the oxygen vacancy transport in TiO2-δ layer. This result indicates a possible development of a new type of magnetic device driven by ionic conduction in oxides.
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GeO2/Ge界面反応の理解に基づくGeO2膜物性の化現象の制御
基于GeO2/Ge界面反应的控制GeO2薄膜的物理性质
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
電子情報通信学会技術研究報告
影响因子:
--
作者:
[喜 多 浩之 , 王盛凱, 李忠賢, 吉田まほろ, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明]
通讯作者:
鳥海明
Interface DipoleConcellation in SiO/High-k/SiO2/SiGate Stacks
SiO/High-k/SiO2/SiGate 堆栈中的界面偶极子纠缠
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. Hibino, T. Nishimura, K. Nagashio, K.Kita and A. Toriumi]
通讯作者:
K.Kita and A. Toriumi
The ElectrochemicalSociety, Pennington, NJ, USA
电化学协会,美国新泽西州彭宁顿
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Editors: S. Kar,S. Van Elshocht, K.]
通讯作者:
K.
DOI:
10.1149/05004.0091ecst
发表时间:
2013-03
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Wenfeng Zhang;T. Nishimura;K. Nagashio;K. Kita;A. Toriumi]
通讯作者:
Wenfeng Zhang;T. Nishimura;K. Nagashio;K. Kita;A. Toriumi
DOI:
10.1143/apex.3.061501
发表时间:
2010-05
期刊:
Applied Physics Express
影响因子:
2.3
作者:
[L. Zhu;K. Kita;T. Nishimura;K. Nagashio;Shengkai Wang;A. Toriumi]
通讯作者:
L. Zhu;K. Kita;T. Nishimura;K. Nagashio;Shengkai Wang;A. Toriumi
共 36 条
Study on voltage control of interface anisotropy energy at ferromagnetic - oxide interfaces
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批准号:24360287
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.56万
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财政年份:2012
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负责人:KITA Koji
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依托单位:
Study on Ge surface oxidation processes based on in-situ analysis
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批准号:19686037
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额:$16.81万
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财政年份:2007
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负责人:KITA Koji
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依托单位:
海外基金