Application of proton conduction of nickel oxide nanostructures to electrochromic devices

氧化镍纳米结构质子传导在电致变色器件中的应用

• 批准号: 22656142
• 负责人: KITA Koji
• 金额: $ 2.37万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22656142/
• 关键词: 先端機能デバイス; 表面界面物性; 欠陥準位; エレクトロクロミック; 表面・界面物性; イオン伝導; 酸化物; セラミックス; エレクトロクロノミック

Applications of ionic conduction in defect-induced-oxide thin films for electrical devices were investigated. First, a proton-conducting electrolyte for an all-dry-processed electrochromic cell was demonstrated by using the hydrogenated-Ta2O5 films prepared by hydrogen-introduced sputtering, even though nano-structured NiO thin films did not show any expected ionic conductions. Next, voltage-induced nonvolatile change of magnetic anisotropy was demonstrated for TiO2-δ/ferromagnetic CoFeB stacks, by means of the oxygen vacancy transport in TiO2-δ layer. This result indicates a possible development of a new type of magnetic device driven by ionic conduction in oxides.

研究了离子导电性在缺陷诱导氧化薄膜中的应用。首先，利用氢引入溅射制备的氢化ta2o5薄膜，证明了一种用于全干法电致变色电池的质子导电电解质，尽管纳米结构的NiO薄膜没有表现出任何预期的离子导电。接下来，通过TiO2-δ层中的氧空位输运，证明了TiO2-δ/铁磁CoFeB堆叠的磁各向异性在电压诱导下的非挥发性变化。这一结果表明了一种由氧化物离子导电驱动的新型磁性器件的可能发展。

项目成果

GeO2/Ge界面反応の理解に基づくGeO2膜物性の化現象の制御

基于GeO2/Ge界面反应的控制GeO2薄膜的物理性质

• 发表时间: 2010
• 期刊: 電子情報通信学会技術研究報告
• 作者: 喜 多 浩之 ;王盛凱;李忠賢;吉田まほろ;西村知紀;長汐晃輔;鳥海明
• 通讯作者: 鳥海明

Interface DipoleConcellation in SiO/High-k/SiO2/SiGate Stacks

SiO/High-k/SiO2/SiGate 堆栈中的界面偶极子纠缠

• 发表时间: 2012
• 作者: S. Hibino;T. Nishimura;K. Nagashio;K.Kita and A. Toriumi
• 通讯作者: K.Kita and A. Toriumi

The ElectrochemicalSociety, Pennington, NJ, USA

电化学协会，美国新泽西州彭宁顿

• 发表时间: 2012
• 作者: Editors: S. Kar,S. Van Elshocht;K.
• 通讯作者: K.

Conduction Band-offset in GeO2/Ge Stack Determined by Internal Photoemission Spectroscopy

• DOI: 10.1149/05004.0091ecst
• 发表时间: 2013-03
• 作者: Wenfeng Zhang;T. Nishimura;K. Nagashio;K. Kita;A. Toriumi

Observation of Dipole Layer Formed at High-k Dielectrics/SiO2 Interface with X-ray Photoelectron Spectroscopy

• DOI: 10.1143/apex.3.061501
• 发表时间: 2010-05
• 期刊: Applied Physics Express
• 影响因子: 2.3
• 作者: L. Zhu;K. Kita;T. Nishimura;K. Nagashio;Shengkai Wang;A. Toriumi