Theory of transport phenomena in organic conductor with Dirac fermion energy spectrum

用狄拉克费米子能谱研究有机导体中的输运现象

基本信息

  • 批准号:
    24540370
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2012-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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Effect of Interlayer Spin-flip Tunneling for Interlayer Magnetoresistance in Multilayer Dirac Fermion Systems
多层狄拉克费米子系统中层间自旋翻转隧道效应对层间磁阻的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    上田大貴;木村剛他;Noriko OBARA and Ko OKUMURA;K. Kubo and T. Morinari
  • 通讯作者:
    K. Kubo and T. Morinari
Mechanism of Dirac Point in alpha Type Organic Conductor
α型有机导体中狄拉克点的机理
  • DOI:
    10.7566/jpsj.82.023708
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Suzumura;T. Morinari and F. Piechon
  • 通讯作者:
    T. Morinari and F. Piechon
Dirac Fermion State with Real Space π-Flux on Anisotropic Square Lattice and Triangular Lattice,
各向异性方格和三角格子上具有实空间 π 通量的狄拉克费米子态,
  • DOI:
    10.7566/jpsj.83.034712
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高橋政哉;加木悠也;大熊哲;佐々木孝彦;Nobuo Furukawa;水島健;K. Sasaki and T. Morinari,
  • 通讯作者:
    K. Sasaki and T. Morinari,
Algebraic structure of Dirac fermion state in ¥alpha-(BEDT-TTF) _2I_3
α-(BEDT-TTF) _2I_3 中狄拉克费米子态的代数结构
  • DOI:
    10.7566/jpsj.82.055002
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Morinari;Y. Suzumura
  • 通讯作者:
    Y. Suzumura
Chirality effect on superconductivity
对超导性的手性效应
  • DOI:
    10.1088/1742-6596/603/1/012007
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Mibu;H. Yanagihara;E. Kita;and J. Inoue;T. Morinari
  • 通讯作者:
    T. Morinari
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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    2017
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    $ 2万
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{{ showInfoDetail.title }}

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