Development of metal-insulator transition transistor
Development of metal-insulator transition transistor
金属-绝缘体过渡晶体管的研制
批准号：
24560006
负责人：
SAKAI Masatoshi
金额：
$3.41万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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Effects of a gate electric field on a metal-insulator transition of a charge ordered organic crystal
栅极电场对电荷有序有机晶体金属-绝缘体转变的影响
栅极电场对电荷有序有机晶体金属-绝缘体转变的影响
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Sakai, K. Masuo, S. Kuniyoshi, H. Yamauchi, and K. Kudo]
通讯作者：
and K. Kudo
Si基板上に成長した(BEDT-TTF)(TCNQ)微結晶における結晶構造の温度依存性
Si 衬底上生长的 (BEDT-TTF) (TCNQ) 微晶晶体结构的温度依赖性
Si 衬底上生长的 (BEDT-TTF) (TCNQ) 微晶晶体结构的温度依赖性
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[酒井正俊, 石黒雅人, 花田光聡, 国吉繁一, 中村雅一, 山内 博, 工藤一浩, 中尾朗子]
通讯作者：
中尾朗子
分子機能教育研究分野
分子功能教育研究领域
分子功能教育研究领域
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
β-(BEDT-TTF)2PF6における電界誘起金属 絶縁体転移温度シフト
β-(BEDT-TTF)2PF6 中电场引起的金属-绝缘体转变温度变化
β-(BEDT-TTF)2PF6 中电场引起的金属-绝缘体转变温度变化
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[長谷川 司, 橋本 典也, 西川 博昭, 酒井正俊，増尾和哉，森年規文，國吉繁一，山内博，工藤一浩]
通讯作者：
酒井正俊，増尾和哉，森年規文，國吉繁一，山内博，工藤一浩
(BEDT-TTF)(TCNQ)における低温下でのテラヘルツ波分光
低温太赫兹波光谱 (BEDT-TTF)(TCNQ)
低温太赫兹波光谱 (BEDT-TTF)(TCNQ)
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[貞本貢汰, 三野弘文, 酒井正俊, 中嶋誠]
通讯作者：
中嶋誠
共 22 条
Metal-Insulator transition devices made of organic Mott insulator
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批准号：19760211
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.34万
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财政年份：2007
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负责人：SAKAI Masatoshi
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依托单位：
海外基金