Metal-Insulator transition devices made of organic Mott insulator

由有机莫特绝缘体制成的金属-绝缘体转换器件

• 批准号: 19760211
• 负责人: SAKAI Masatoshi
• 金额: $ 2.34万
• 依托单位: Chiba University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19760211/
• 关键词: 強相関電子系; 分子性固体; モット絶縁体; 先端機能デバイス; 金属絶縁体転移; 電界効果トランジスタ; 電荷移動錯体; 電界誘起相転移; モット転移; 有機デバイス; 有機トランジスタ; 両極性

電子相関が電子物性を支配する有機モット絶縁体を用いて電界効果トランジスタ構造を形成し、ゲート電界による物性制御とそのデバイス特性の研究を行った。ゲート電界により誘起される電子・正孔の電界効果移動度の温度依存性をそれぞれ明らかにした。従来より知られていたバルクの金属絶縁体転移は、電子移動度の温度依存性により説明されることが明らかとなった。また、280K および250K 付近で、従来知られていなかった相転移が観測された。また、キャリアドープによるデバイス特性の変化を明らかにした。

Electronic phase masato が electronic property を dominate す る organic モ ッ を ト never try body with い て electricity industry working fruit ト ラ ン ジ ス タ tectonic を form し, ゲ ー ト electricity industry に よ る property suppression と そ の デ バ イ ス features の を line っ た. The ゲ ゲ ト electric field によ ト induced される electrons · positive hole <s:1> electric field effect mobility <s:1> temperature dependence をそれぞれ brightness ら ら に た た. 従 to よ り know ら れ て い た バ ル ク の metal never try body move planning は, electronic mobile の temperature dependency に よ り illustrate さ れ る こ と が Ming ら か と な っ た. ま た, 280 k お よ び 250 k, 従 to pay nearly で ら れ て い な か っ planning た phase shift が 観 measuring さ れ た. Youdaoplaceholder0, キャリアド プによるデバ プによるデバ プによるデバ ス characteristic <s:1> change を brightness ら ス に た た た.

项目成果

講演番号 1p-W-8: TTF-TCNQ ワイヤの電界配向成長その場観察II

讲座编号1p-W-8：TTF-TCNQ线材电场定向生长的原位观察II

• 发表时间: 2009
• 作者: Masatoshi Sakai;Yoshihiro Tada;Yuya Ito;Tomoki Takahara;Masakazu Nakamura;Kazuhiro Kudo;酒井正俊,多田喜弘,浦部裕亮,中村雅一,工藤一浩
• 通讯作者: 酒井正俊,多田喜弘,浦部裕亮,中村雅一,工藤一浩

(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶における化学ドーピング効果

(BEDT-TTF)(TCNQ)晶体中的化学掺杂效应

• 发表时间: 2008
• 作者: 高原知樹、伊藤裕也、酒井正俊;中村雅一;工藤一浩
• 通讯作者: 工藤一浩

講演番号29p-ZE-9: 金属-絶縁体転移点近傍における(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶の電子移動度変化

讲座编号 29p-ZE-9： (BEDT-TTF)(TCNQ) 晶体在金属-绝缘体转变点附近电子迁移率的变化

• 发表时间: 2008
• 作者: 酒井正俊;伊藤裕哉;高原知樹;中村雅一;工藤一浩
• 通讯作者: 工藤一浩

Observation of Metal-like Phase Induced by a Gate Electric Field in Organic Mott Insulator ET-TCNQ

有机莫特绝缘体 ET-TCNQ 中栅极电场诱导的类金属相的观察

• 发表时间: 2007
• 作者: 斉藤聡伸;宮田晴哉;酒井正俊;飯塚正明;中村雅一;工藤一浩;斉藤聡伸;酒井正俊
• 通讯作者: 酒井正俊

SiO_2/Si 基板上に成長した(BEDT-TTF)(TCNQ)配向結晶の両極性電界効果特性と電子・正孔伝導の温度依存性

SiO_2/Si衬底上生长的(BEDT-TTF)(TCNQ)取向晶体的双极场效应特性及电子和空穴传导的温度依赖性

• 发表时间: 2007
• 作者: 酒井正俊;佐久間広貴;伊藤裕哉;斉藤聡伸;中村雅一;工藤一浩
• 通讯作者: 工藤一浩