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Metal-Insulator transition devices made of organic Mott insulator

Metal-Insulator transition devices made of organic Mott insulator
由有机莫特绝缘体制成的金属-绝缘体转换器件
批准号：
19760211
负责人：
SAKAI Masatoshi
金额：
$2.34万
依托单位：
Chiba University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19760211/
关键词：
強相関電子系分子性固体モット絶縁体先端機能デバイス金属絶縁体転移電界効果トランジスタ電荷移動錯体電界誘起相転移モット転移有機デバイス有機トランジスタ両極性

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電子相関が電子物性を支配する有機モット絶縁体を用いて電界効果トランジスタ構造を形成し、ゲート電界による物性制御とそのデバイス特性の研究を行った。ゲート電界により誘起される電子・正孔の電界効果移動度の温度依存性をそれぞれ明らかにした。従来より知られていたバルクの金属絶縁体転移は、電子移動度の温度依存性により説明されることが明らかとなった。また、280K および250K 付近で、従来知られていなかった相転移が観測された。また、キャリアドープによるデバイス特性の変化を明らかにした。
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会议论文
講演番号 1p-W-8: TTF-TCNQ ワイヤの電界配向成長その場観察II
讲座编号1p-W-8：TTF-TCNQ线材电场定向生长的原位观察II
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [Masatoshi Sakai, Yoshihiro Tada, Yuya Ito, Tomoki Takahara, Masakazu Nakamura, Kazuhiro Kudo, 酒井正俊,多田喜弘,浦部裕亮,中村雅一,工藤一浩]
通讯作者： 酒井正俊,多田喜弘,浦部裕亮,中村雅一,工藤一浩
(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶における化学ドーピング効果
(BEDT-TTF)(TCNQ)晶体中的化学掺杂效应
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [高原知樹、伊藤裕也、酒井正俊, 中村雅一, 工藤一浩]
通讯作者： 工藤一浩
講演番号29p-ZE-9: 金属-絶縁体転移点近傍における(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶の電子移動度変化
讲座编号 29p-ZE-9： (BEDT-TTF)(TCNQ) 晶体在金属-绝缘体转变点附近电子迁移率的变化
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [酒井正俊, 伊藤裕哉, 高原知樹, 中村雅一, 工藤一浩]
通讯作者： 工藤一浩
Observation of Metal-like Phase Induced by a Gate Electric Field in Organic Mott Insulator ET-TCNQ
有机莫特绝缘体 ET-TCNQ 中栅极电场诱导的类金属相的观察
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [斉藤聡伸, 宮田晴哉, 酒井正俊, 飯塚正明, 中村雅一, 工藤一浩, 斉藤聡伸, 酒井正俊]
通讯作者： 酒井正俊
共 39 条
    Development of metal-insulator transition transistor
    • 批准号：
      24560006
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.41万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      SAKAI Masatoshi
    • 依托单位：
      Chiba University
    海外基金