Local atomic structure analysis of ferromagnetic semiconductor using photoelectron holography
Local atomic structure analysis of ferromagnetic semiconductor using photoelectron holography
利用光电子全息技术分析铁磁半导体的局域原子结构
批准号：
24560016
负责人：
HAPPO Naohisa
金额：
$3.41万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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DOI：
10.1103/physrevb.87.094104
发表时间：
2013-03-08
期刊：
PHYSICAL REVIEW B
影响因子：
3.7
作者：
[Hosokawa, S., Happo, N., Hayashi, K.]
通讯作者：
Hayashi, K.
蛍光X線ホログラフィーによる機能性材料の３D原子イメージング
使用荧光 X 射线全息术对功能材料进行 3D 原子成像
使用荧光 X 射线全息术对功能材料进行 3D 原子成像
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[細川伸也, 八方直久, 林好一]
通讯作者：
林好一
An x-ray fluorescence holographic study on a Bi2Te3Mn0.1 topological insulator
Bi2Te3Mn0.1拓扑绝缘体的X射线荧光全息研究
Bi2Te3Mn0.1拓扑绝缘体的X射线荧光全息研究
DOI：
10.1088/1742-6596/502/1/012024
发表时间：
2014
期刊：
Journal of Physics: Conference Series
影响因子：
--
作者：
[S. Hosokawa, N. Happo, K Hayashi, A Ohnishi, M Kitaura and M Sasaki]
通讯作者：
M Kitaura and M Sasaki
Local clusters in a distorted rocksalt GeTe crystal found by x-ray fluorescence holography
X 射线荧光全息术发现扭曲岩盐 GeTe 晶体中的局部簇
X 射线荧光全息术发现扭曲岩盐 GeTe 晶体中的局部簇
DOI：
10.7566/jpsj.83.124602
发表时间：
2014
期刊：
Journal of the Physical Society of Japan
影响因子：
1.7
作者：
[S. Hosokawa, N. Happo, S. Senba, T. Ozaki, T. Matsushita, A. Koura, F. Shimojo, K. Hayashi]
通讯作者：
K. Hayashi
Structural studies on TlInSe2 thermoelectric material by x-ray diffraction, XAFS, and x-ray fluorescence holography
X射线衍射、XAFS和X射线荧光全息技术对TlInSe2热电材料的结构研究
X射线衍射、XAFS和X射线荧光全息技术对TlInSe2热电材料的结构研究
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Hosokawa, K. Kamimura, N. Happo, K. Mimura, K. Hayashi, K. Takahashi, K. Wakita, and N. Mamedov]
通讯作者：
and N. Mamedov
共 14 条
X-ray fluorescence holography of diluted magnetic semiconductor
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批准号：19560017
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$1.33万
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财政年份：2007
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负责人：HAPPO Naohisa
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依托单位：
海外基金