Influence of strain on the Intermixing in the hetero-epitaxial growth

应变对异质外延生长中混合的影响

基本信息

  • 批准号:
    24560031
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.49万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2012-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
Quasi-two-dimensional Electron Gas State of Strained Si (111) √3×√3-Ag System
应变Si (111) √3×√3-Ag体系的准二维电子气态
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A. TOSAKA;T. ISHII;and Y. SHIGETA
  • 通讯作者:
    and Y. SHIGETA
Si(111)表面上のGe膜の固相エピタキシー成長に伴う形状変化
Si(111)表面固相外延生长Ge薄膜的形状变化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    吉田竜馬;松岡理香;戸坂亜希;重田諭吉
  • 通讯作者:
    重田諭吉
Measurement of Strain in GaN(0001) Substrate by using Kikuchi line of RHEED
使用 RHEED 的菊池线测量 GaN(0001) 衬底中的应变
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. SHIGETA ;J. NAKATA;A.TOSAKA and K.KOYAMA
  • 通讯作者:
    A.TOSAKA and K.KOYAMA
化学機械研磨処理したGaN(0001)表面の菊池線を用いた格子歪み評価
使用菊池线评估经过化学机械抛光处理的 GaN(0001) 表面的晶格应变
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中田 淳也,小山 浩司;戸坂 亜希 ,重田 諭吉
  • 通讯作者:
    戸坂 亜希 ,重田 諭吉
歪み制御Si(111)√3×√3-Ag 表面上の金属状態
表面应变控制的Si(111)√3×√3-Ag金属态
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A. TOSAKA;T. ISHII;and Y. SHIGETA;堀邊英夫;石井 卓也 ,戸坂 亜希 ,重田 諭吉
  • 通讯作者:
    石井 卓也 ,戸坂 亜希 ,重田 諭吉
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

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