Influence of strain on the Intermixing in the hetero-epitaxial growth
Influence of strain on the Intermixing in the hetero-epitaxial growth
应变对异质外延生长中混合的影响
批准号：
24560031
负责人：
SHIGETA YUKICHI
金额：
$3.49万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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Quasi-two-dimensional Electron Gas State of Strained Si (111) √3×√3-Ag System
应变Si (111) √3×√3-Ag体系的准二维电子气态
应变Si (111) √3×√3-Ag体系的准二维电子气态
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A. TOSAKA, T. ISHII, and Y. SHIGETA]
通讯作者：
and Y. SHIGETA
Si(111)表面上のGe膜の固相エピタキシー成長に伴う形状変化
Si(111)表面固相外延生长Ge薄膜的形状变化
Si(111)表面固相外延生长Ge薄膜的形状变化
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[吉田竜馬, 松岡理香, 戸坂亜希, 重田諭吉]
通讯作者：
重田諭吉
Measurement of Strain in GaN(0001) Substrate by using Kikuchi line of RHEED
使用 RHEED 的菊池线测量 GaN(0001) 衬底中的应变
使用 RHEED 的菊池线测量 GaN(0001) 衬底中的应变
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. SHIGETA , J. NAKATA, A.TOSAKA and K.KOYAMA]
通讯作者：
A.TOSAKA and K.KOYAMA
化学機械研磨処理したGaN(0001)表面の菊池線を用いた格子歪み評価
使用菊池线评估经过化学机械抛光处理的 GaN(0001) 表面的晶格应变
使用菊池线评估经过化学机械抛光处理的 GaN(0001) 表面的晶格应变
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中田 淳也，小山 浩司, 戸坂 亜希 ，重田 諭吉]
通讯作者：
戸坂 亜希 ，重田 諭吉
歪み制御Si(111)√3×√3-Ag 表面上の金属状態
表面应变控制的Si(111)√3×√3-Ag金属态
表面应变控制的Si(111)√3×√3-Ag金属态
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A. TOSAKA, T. ISHII, and Y. SHIGETA, 堀邊英夫, 石井 卓也 ，戸坂 亜希 ，重田 諭吉]
通讯作者：
石井 卓也 ，戸坂 亜希 ，重田 諭吉
共 16 条
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