Development of advanced RF-MBE growth for InN and related alloys and control of their optoelectronic properties

开发先进的 RF-MBE 生长 InN 及相关合金并控制其光电性能

• 批准号: 18206003
• 负责人: NANISHI Yasushi
• 金额: $ 32.45万
• 依托单位: Ritsumeikan University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18206003/
• 关键词: エピタキシャル成長; 窒化インジウム; 分子線エピタキシー; 分子線エピタキシー法; p型ドーピング; ヘテロ界面; インターミキシング; オーミックコンタクト; InN; InGaN; RF-MBE; p形ドーピング; MIS構造; 窒素ラジカル; キャリア濃度; 結晶性

RF-MBE法を用いたInNとその関連混晶の成長に特有な本質的課題(結晶高品質化とp型の実現、接合の形成、ヘテロ・ナノ構造制御等)に取り組み、デバイス応用へ向けた光・電子物性制御の基本検討を実施した。高In組成InGaNへのMgドーピングによるp型伝導制御、InN MISダイオードおよびオーミック電極特性、GaN/InN、AlN/InNヘテロ界面におけるインターミキシングに関する知見を得た。

The RF-MBE method is used to investigate the fundamental problems unique to the growth of mixed crystals (high crystal quality, p-type formation, junction formation, and structure control). The p-type conduction control, InN MIS interface and electrode characteristics of InGaN/InN, AlN/InN interface were obtained.

项目成果

Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications (Invited)

InN和InGaN生长在器件应用方面的最新进展（特邀）

• 发表时间: 2008
• 作者: Y. Nanishi;T. Araki;T. Yamaguchi;D. Muto
• 通讯作者: D. Muto

Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE

通过 ECR-MBE 制造位置控制的 InN 纳米柱

• 发表时间: 2009
• 期刊: SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216
• 作者: T.Araki;D.Fukuoka;H.Tamiya;S.Harui;T.Yamaguchi;H.Miyake;K.Hiramatsu;Y.Nanishi
• 通讯作者: Y.Nanishi

RF-MBE法を用いた高In組成InGaNに対するMg doping の検討

RF-MBE法研究高In成分InGaN的Mg掺杂

• 发表时间: 2008
• 作者: D. Muto;H. Naoi;S. Takado;T. Araki;and Y. Nanishi;Daisuke Muto;D.Muto;中谷佳津彦;福本英太
• 通讯作者: 福本英太

New insight into the free carrier properties of InN

对 InN 自由载流子特性的新见解

• 发表时间: 2008
• 作者: D. Muto;H. Naoi;S. Takado;T. Araki;and Y. Nanishi;Daisuke Muto;D.Muto;中谷佳津彦;福本英太;T. Yamaguchi;Y. Takagi;Y. Nanishi;H. Nozawa;V. Darakchieva
• 通讯作者: V. Darakchieva

Growth and Characterization of N-Polar and In-Polar InN Films by RF-MBE

通过 RF-MBE 生长和表征 N 极性和内极性 InN 薄膜

• 发表时间: 2009
• 期刊: J.Cryst.Growth 311
• 作者: T.Yamaguchi;D.Muto;T.Araki;Y.Nanishi
• 通讯作者: Y.Nanishi