Development of advanced RF-MBE growth for InN and related alloys and control of their optoelectronic properties

开发先进的 RF-MBE 生长 InN 及相关合金并控制其光电性能

• 批准号: 18206003
• 负责人: NANISHI Yasushi
• 金额: $ 32.45万
• 依托单位: Ritsumeikan University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18206003/
• 关键词: エピタキシャル成長; 窒化インジウム; 分子線エピタキシー; 分子線エピタキシー法; p型ドーピング; ヘテロ界面; インターミキシング; オーミックコンタクト; InN; InGaN; RF-MBE; p形ドーピング; MIS構造; 窒素ラジカル; キャリア濃度; 結晶性

RF-MBE法を用いたInNとその関連混晶の成長に特有な本質的課題(結晶高品質化とp型の実現、接合の形成、ヘテロ・ナノ構造制御等)に取り組み、デバイス応用へ向けた光・電子物性制御の基本検討を実施した。高In組成InGaNへのMgドーピングによるp型伝導制御、InN MISダイオードおよびオーミック電極特性、GaN/InN、AlN/InNヘテロ界面におけるインターミキシングに関する知見を得た。

The RF-MBE method is based on the problems unique to the growth of the mixed crystal system of InN thermodynamics, such as the realization of high-quality p-type devices, the formation of bonding devices, the fabrication of mechanical devices, etc., and the application of optical devices to the control of optical and electronic physical properties. High In components such as InGaN, Mg, and p-type guidance control, InN MIS, AlN/InN, GaN/InN, and so on.

项目成果

Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications (Invited)

InN和InGaN生长在器件应用方面的最新进展（特邀）

• 发表时间: 2008
• 作者: Y. Nanishi;T. Araki;T. Yamaguchi;D. Muto
• 通讯作者: D. Muto

Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE

通过 ECR-MBE 制造位置控制的 InN 纳米柱

• 发表时间: 2009
• 期刊: SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216
• 作者: T.Araki;D.Fukuoka;H.Tamiya;S.Harui;T.Yamaguchi;H.Miyake;K.Hiramatsu;Y.Nanishi
• 通讯作者: Y.Nanishi

RF-MBE法を用いた高In組成InGaNに対するMg doping の検討

RF-MBE法研究高In成分InGaN的Mg掺杂

• 发表时间: 2008
• 作者: D. Muto;H. Naoi;S. Takado;T. Araki;and Y. Nanishi;Daisuke Muto;D.Muto;中谷佳津彦;福本英太
• 通讯作者: 福本英太

New insight into the free carrier properties of InN

对 InN 自由载流子特性的新见解

• 发表时间: 2008
• 作者: D. Muto;H. Naoi;S. Takado;T. Araki;and Y. Nanishi;Daisuke Muto;D.Muto;中谷佳津彦;福本英太;T. Yamaguchi;Y. Takagi;Y. Nanishi;H. Nozawa;V. Darakchieva
• 通讯作者: V. Darakchieva

Growth and Characterization of N-Polar and In-Polar InN Films by RF-MBE

通过 RF-MBE 生长和表征 N 极性和内极性 InN 薄膜

• 发表时间: 2009
• 期刊: J.Cryst.Growth 311
• 作者: T.Yamaguchi;D.Muto;T.Araki;Y.Nanishi
• 通讯作者: Y.Nanishi