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Development of advanced RF-MBE growth for InN and related alloys and control of their optoelectronic properties

Development of advanced RF-MBE growth for InN and related alloys and control of their optoelectronic properties
开发先进的 RF-MBE 生长 InN 及相关合金并控制其光电性能
批准号：
18206003
负责人：
NANISHI Yasushi
金额：
$32.45万
依托单位：
Ritsumeikan University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18206003/
关键词：
エピタキシャル成長窒化インジウム分子線エピタキシー分子線エピタキシー法p型ドーピングヘテロ界面インターミキシングオーミックコンタクトInNInGaNRF-MBEp形ドーピングMIS構造窒素ラジカルキャリア濃度結晶性

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RF-MBE法を用いたInNとその関連混晶の成長に特有な本質的課題(結晶高品質化とp型の実現、接合の形成、ヘテロ・ナノ構造制御等)に取り組み、デバイス応用へ向けた光・電子物性制御の基本検討を実施した。高In組成InGaNへのMgドーピングによるp型伝導制御、InN MISダイオードおよびオーミック電極特性、GaN/InN、AlN/InNヘテロ界面におけるインターミキシングに関する知見を得た。
期刊论文(88)
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会议论文
Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications (Invited)
InN和InGaN生长在器件应用方面的最新进展（特邀）
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Nanishi, T. Araki, T. Yamaguchi, D. Muto]
通讯作者： D. Muto
Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE
通过 ECR-MBE 制造位置控制的 InN 纳米柱
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216
影响因子： --
作者： [T.Araki, D.Fukuoka, H.Tamiya, S.Harui, T.Yamaguchi, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Nanishi]
通讯作者： Y.Nanishi
RF-MBE法を用いた高In組成InGaNに対するMg doping の検討
RF-MBE法研究高In成分InGaN的Mg掺杂
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [D. Muto, H. Naoi, S. Takado, T. Araki, and Y. Nanishi, Daisuke Muto, D.Muto, 中谷佳津彦, 福本英太]
通讯作者： 福本英太
New insight into the free carrier properties of InN
对 InN 自由载流子特性的新见解
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [D. Muto, H. Naoi, S. Takado, T. Araki, and Y. Nanishi, Daisuke Muto, D.Muto, 中谷佳津彦, 福本英太, T. Yamaguchi, Y. Takagi, Y. Nanishi, H. Nozawa, V. Darakchieva]
通讯作者： V. Darakchieva
共 6 条
    Controlling of hetero-, nano-structures andtheir properties and band engineering using InN and related alloys
    • 批准号：
      21246004
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $29.2万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      NANISHI Yasushi
    • 依托单位：
      Ritsumeikan University
    Study on fabrication of heterostructures based on InN, GaN and alloys and applications for HFET
    • 批准号：
      13450131
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $8.19万
    • 财政年份：
      2001
    • 负责人：
      NANISHI Yasushi
    • 依托单位：
      Ritsumeikan University
    Study on GaN and Pelated Compound Crystal Growth By ECR-MBE for Blue Lase
    • 批准号：
      07650385
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $1.47万
    • 财政年份：
      1995
    • 负责人：
      NANISHI Yasushi
    • 依托单位：
      Ritsumeikan University
    海外基金