Development of monolithically integrated high-sensitive SOI photodiode
Development of monolithically integrated high-sensitive SOI photodiode
单片集成高灵敏度SOI光电二极管的开发
批准号：
24560401
负责人：
ONO ATSUSHI
金额：
$3.41万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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Sensitivity Enhancement of SOI Photodiode with Randomly Arranged Au Nanoparticles
随机排列的金纳米粒子提高 SOI 光电二极管的灵敏度
随机排列的金纳米粒子提高 SOI 光电二极管的灵敏度
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Atsushi Ono, Yasushi Enomoto, Yasufumi Matsumura, Hiroaki Satoh, and Hiroshi Inokawa]
通讯作者：
and Hiroshi Inokawa
フォトダイオード及びその製造方法
光电二极管及其制造方法
光电二极管及其制造方法
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
金ナノ粒子高密度配列による高感度SOIフォトダイオードの開発
使用高密度金纳米颗粒阵列开发高灵敏度 SOI 光电二极管
使用高密度金纳米颗粒阵列开发高灵敏度 SOI 光电二极管
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[小野篤史, 榎本靖, 松村康史, 佐藤弘明, 猪川洋]
通讯作者：
猪川洋
Plasmonics for enhanced performance of SOI photodiode
用于增强 SOI 光电二极管性能的等离子体激元
用于增强 SOI 光电二极管性能的等离子体激元
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Atsushi Ono, Hiroaki Satoh, and Hiroshi Inokawa]
通讯作者：
and Hiroshi Inokawa
Development of fabrication technique of ultra-fine metallic nanostructures by laser-induced photo-reduction applied with polarization
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批准号：19H02625
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.15万
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财政年份：2019
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负责人：ONO ATSUSHI
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依托单位：
Development of super resolution optical imaging device coupling between photons and electrons
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批准号：19K22101
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额：$4.08万
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财政年份：2019
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负责人：ONO ATSUSHI
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依托单位：
Elucidation of the mechanism of therapeutic resistance in liver cancer using circulating tumor DNA
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批准号：17K15948
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.66万
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财政年份：2017
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负责人：ONO ATSUSHI
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依托单位：
海外基金