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Development of monolithically integrated high-sensitive SOI photodiode
单片集成高灵敏度SOI光电二极管的开发
基本信息
- 批准号：24560401
- 负责人：
- 金额：$ 3.41万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Sensitivity Enhancement of SOI Photodiode with Randomly Arranged Au Nanoparticles
随机排列的金纳米粒子提高 SOI 光电二极管的灵敏度
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Atsushi Ono;Yasushi Enomoto;Yasufumi Matsumura;Hiroaki Satoh;and Hiroshi Inokawa
- 通讯作者：and Hiroshi Inokawa
金ナノ粒子高密度配列による高感度SOIフォトダイオードの開発
使用高密度金纳米颗粒阵列开发高灵敏度 SOI 光电二极管
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：小野篤史;榎本靖;松村康史;佐藤弘明;猪川洋
- 通讯作者：猪川洋
Plasmonics for enhanced performance of SOI photodiode
用于增强 SOI 光电二极管性能的等离子体激元
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Atsushi Ono;Hiroaki Satoh;and Hiroshi Inokawa
- 通讯作者：and Hiroshi Inokawa
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$ 3.41万 - 项目类别：
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