Lab-on-a-chip using compound semiconductor nanowires and a CMOS substrate
Lab-on-a-chip using compound semiconductor nanowires and a CMOS substrate
使用化合物半导体纳米线和 CMOS 衬底的芯片实验室
批准号：
24560414
负责人：
WAHO Takao
金额：
$3.49万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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InAsナノワイヤ/CMOS異種技術集積化とセンサ応用の可能性
InAs纳米线/CMOS异质技术集成和传感器应用的可能性
InAs纳米线/CMOS异质技术集成和传感器应用的可能性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Osamu Mikami, Tadayuki Enomoto, Yukinobu Soeda, Chiemi Fujikawa, 三上修, 島本一成・細野 優・小原一馬・和保孝夫・荻野雄大・下村和彦]
通讯作者：
島本一成・細野 優・小原一馬・和保孝夫・荻野雄大・下村和彦
Au微粒子を用いたGaAs(111)B基板上InAsナノワイヤのV/III比依存性
使用 Au 微粒的 GaAs(111)B 基板上的 InAs 纳米线的 V/III 比率依赖性
使用 Au 微粒的 GaAs(111)B 基板上的 InAs 纳米线的 V/III 比率依赖性
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[村上新, 船山裕晃, 下村和彦, 和保孝夫]
通讯作者：
和保孝夫
Preheating temperature and growth temperature dependence of InP nanowires grown by self-catalytic VLS mode on InP substrate
InP 衬底上自催化 VLS 模式生长 InP 纳米线的预热温度和生长温度依赖性
InP 衬底上自催化 VLS 模式生长 InP 纳米线的预热温度和生长温度依赖性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
J. Crystal Growth
影响因子：
--
作者：
[T. Ogino, M.Yamauchi, Y.Yamamoto, K.Shimomura, and T.Waho]
通讯作者：
and T.Waho
ナノワイヤの堆積プロセスと回路応用
纳米线沉积工艺及电路应用
纳米线沉积工艺及电路应用
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
応用物理
影响因子：
--
作者：
[小谷博亮, 矢口僚人, 和保孝夫, 和保 孝夫]
通讯作者：
和保 孝夫
ダイナミック積分器を用いた低消費電力2次ΔΣ変調器
使用动态积分器的低功耗二阶 ΔΣ 调制器
使用动态积分器的低功耗二阶 ΔΣ 调制器
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Tadayuki ENOMOTO, Yukinobu SOEDA, Osamu MIKAMI, 松芝 亮・矢口僚人・和保孝夫]
通讯作者：
松芝 亮・矢口僚人・和保孝夫
共 45 条
Ultra-High Speed Analog/Digital Integrated Circuits Using InAs Nanowires
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批准号：21560362
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.08万
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财政年份：2009
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负责人：WAHO Takao
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依托单位：
Research on design and implementation of analog-to-digital converters using compound semiconductors
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批准号：19560352
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.91万
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财政年份：2007
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负责人：WAHO Takao
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依托单位：
Ultrahigh-speed bandpass delta-sigma modulators using resonant-tunneling devices
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批准号：14550330
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.37万
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财政年份：2002
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负责人：WAHO Takao
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依托单位：