Lab-on-a-chip using compound semiconductor nanowires and a CMOS substrate

使用化合物半导体纳米线和 CMOS 衬底的芯片实验室

• 批准号: 24560414
• 负责人: WAHO Takao
• 金额: $ 3.49万
• 依托单位: Sophia University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24560414/
• 关键词: ナノワイヤ; ΔΣ変調器; A/D変換器; ラボオンチップ; センサ; 逐次比較A/D変換器; CMOS; 化合物半導体; 異種技術集積; 国際情報交換; ドイツ; 誘電泳動; 弱反転; 逐次比較

项目成果

InAsナノワイヤ/CMOS異種技術集積化とセンサ応用の可能性

InAs纳米线/CMOS异质技术集成和传感器应用的可能性

• 发表时间: 2015
• 作者: Osamu Mikami;Tadayuki Enomoto;Yukinobu Soeda;Chiemi Fujikawa;三上修;島本一成・細野 優・小原一馬・和保孝夫・荻野雄大・下村和彦
• 通讯作者: 島本一成・細野 優・小原一馬・和保孝夫・荻野雄大・下村和彦

Au微粒子を用いたGaAs(111)B基板上InAsナノワイヤのV/III比依存性

使用 Au 微粒的 GaAs(111)B 基板上的 InAs 纳米线的 V/III 比率依赖性

• 作者: 村上新;船山裕晃;下村和彦;和保孝夫
• 通讯作者: 和保孝夫

Preheating temperature and growth temperature dependence of InP nanowires grown by self-catalytic VLS mode on InP substrate

InP 衬底上自催化 VLS 模式生长 InP 纳米线的预热温度和生长温度依赖性

• 发表时间: 2015
• 期刊: J. Crystal Growth
• 作者: T. Ogino;M.Yamauchi;Y.Yamamoto;K.Shimomura;and T.Waho
• 通讯作者: and T.Waho

ナノワイヤの堆積プロセスと回路応用

纳米线沉积工艺及电路应用

• 发表时间: 2012
• 期刊: 応用物理
• 作者: 小谷博亮;矢口僚人;和保孝夫;和保 孝夫
• 通讯作者: 和保 孝夫

チャージシェア型非2進SAR ADCの設計

电荷共享非二进制SAR ADC设计

• 发表时间: 2015
• 作者: 荻野 雄大;朝倉 啓太;下村 和彦;和保 孝夫;山﨑雄介・和保孝夫
• 通讯作者: 山﨑雄介・和保孝夫